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资料编号:745124
 
资料名称:2SK3177
 
文件大小: 51K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3177
6
20
16
12
8
4
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
v = 0, –5 v
GS
10 v
5 v
20
16
12
8
4
25 50 75 100 125 150
0
d. u. t
Rg
I
监控
AP
V
监控
DS
V
DD
50
Vin
15 v
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(br)dss
L
V
DD
e = • l • i •
2
1
V
v – v
AR
AP
DSS
DSS DD
2
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
脉冲波 测试
频道 温度 tch (°c)
repetive avalanche 活力 e (mj)
AR
maximun avalanche 活力 vs.
频道 温度 减额
avalanche waveformavalanche 测试 电路
i = 15 一个
v = 50 v
职责 < 0.1 %
rg > 50
AP
DD
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