km44c1000d, km44v1000d cmos dram
注释
一个 最初的 pause 的 200us 是 必需的 之后 电源-向上 followed 用 任何 8RAS-仅有的 refresh 或者CAS-在之前-RASrefresh 循环
在之前 恰当的 设备 运作 是 达到.
VIH(最小值) 和 vIL(最大值) 是 涉及 水平 为 测量 定时 的 输入 信号. 转变 时间 是 量过的 在
VIH(最小值) 和 vIL(最大值) 和 是 assumed 至 是 5ns 为 所有 输入.
量过的 和 一个 加载 相等的 至 2 ttl(5v)/1 ttl(3.3v) 负载 和 100pf.
运作 在里面 这tRCD(最大值) 限制 insures 那tRAC(最大值) 能 是 符合.tRCD(最大值) 是 指定 作 一个 涉及 要点 仅有的.
如果tRCD是 更好 比 这 指定tRCD(最大值) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 exclusively 用tCAC.
假设 那tRCD
≥
tRCD(最大值).
这个 参数 定义 这 时间 在 这个 这 输出 achieves 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 voh或者 vol.
tWCS,tRWD,tCWD,tAWD和tCPWD是 非 restrictive 运行 参数. 它们 是 包含 在 这 数据 薄板 作 电的
特性 仅有的. 如果tWCS
≥
tWCS(最小值), 这 循环 是 一个 early 写 循环 和 这 数据 输出 将 仍然是 高 阻抗 为
这 持续时间 的 这 循环. 如果tCWD
≥
tCWD(最小值),tRWD
≥
tRWD(最小值),tAWD
≥
tAWD(最小值) 和tCPWD
≥
tCPWD(最小值) 然后 这 循环 是 一个
读-modify-写 循环 和 这 数据 输出 将 包含 这 数据 读 从 这 选择 地址. 如果 neither 的 这 在之上 con-
ditions 是 satisfied, 这 情况 的 这 数据 输出 是 indeterminate.
也tRCH或者tRRH必须 是 satisfied 为 一个 读 循环.
这些 参数 是 关联 至CAS下落 边缘 在 early 写 循环 和 至W下落 边缘 在 读-modify-写 循环.
运作 在里面 这tRAD(最大值) 限制 insures 那tRAC(最大值) 能 是 符合.tRAD(最大值) 是 指定 作 一个 涉及 要点 仅有的.
如果tRAD是 更好 比 这 指定tRAD(最大值) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 用tAA.
这些 specifiecations 是 应用 在 这 测试 模式.
在 测试 模式 读 循环, 这 值 的tRAC,tAA,tCAC是 delayed 用 2ns 至 5ns 为 这 指定 值. 这些 参数
应当 是 指定 在 测试 模式 循环 用 adding 这 在之上 值 至 这 指定 值 在 这个 数据 薄板.
t止(最大值) 定义 这 时间 在 这个 这 输出 achieves 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 输出 电压
水平的.
如果tRASS
≥
100us, 然后RASprecharge 时间 必须 使用tRPSinstead 的tRP.
为RAS-仅有的 refresh 和 burstCAS-在之前-RASrefresh 模式, 1024(1k) 循环 的 burst refresh 必须 是 executed 在里面
16ms 在之前 和 之后 自 refresh, 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
为 distributedCAS-在之前-RAS和 15.6us 间隔,CAS-在之前-RASrefresh 应当 是 executed 和 在 15.6us immedi-
ately 在之前 和 之后 自 refresh 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
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