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FairchildSemiconductorCorpor在i在HGTG30N60一个4DRev.B
1
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
hgtg30n60a4d, 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .BV
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
75 一个
在 t
C
= 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
60 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
240 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c (图示 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 150a 在 600v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
463 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.7 w/
o
C
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 温度 为 焊接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
电的 规格
T
J
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= 600v T
J
= 25
o
C - - 250
µ
一个
T
J
= 125
o
c--2.8ma
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 30a,
V
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c-1.82.6v
T
J
= 125
o
c-1.62.0v
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
4.5 5.2 7.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
250 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
Ω
, v
GE
= 15v,
l = 100
µ
h, v
CE
= 600v
150 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= 30a, v
CE
= 300v - 8.5 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= 30a,
V
CE
= 300v
V
GE
= 15v - 225 270 nC
V
GE
= 20v - 300 360 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 25
o
c,
I
CE
= 30a,
V
CE
= 390v,
V
GE
= 15v,
R
G
= 3
Ω,
l = 200
µ
h,
测试 电路 (图示 24)
-25 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-12 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 150 - ns
电流 下降 时间 t
fI
-38 - ns
转变-在 活力 (便条 2) E
ON1
- 280 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 2) E
ON2
- 600 -
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 240 350
µ
J
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 125
o
c,
I
CE
= 30a,
V
CE
= 390v, v
GE
= 15v,
R
G
= 3
Ω,
l = 200
µ
h,
测试 电路 (图示 24)
-24 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-11 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 180 200 ns
电流 下降 时间 t
fI
-5870ns
转变-在 活力 (便条 2) E
ON1
- 280 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 2) E
ON2
- 1000 1200
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 450 750
µ
J
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 30a - 2.2 2.5 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 30a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 40 55 ns
I
EC
= 1a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 30 42 ns
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