HGTG30N60A4D_集成电路资料查询网

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FairchildSemiconductorCorpor在i在HGTG30N60一个4DRev.B
1
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
(持续)
01.0
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
10
20
1.5 2.0 2.5
40
30
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 12v
50
T
J
= 25
o
C
0.5
T
J
= 125
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0
10
20
40
30
50
0 1.0 1.5 2.0 2.50.5
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
1000
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
500
1500
0
3500
10 20 30 40 50 60
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 3
Ω
, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
0
2500
2000
3000
1000
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
止
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
0
600
200
800
1200
1400
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
400
R
G
= 3
Ω
, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v
10 20 30 40 50 600
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(在)i
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
20
22
24
26
28
34
10 20 30 40 50 600
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v
R
G
= 3
Ω
, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v
32
30
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
0
40
20
100
80
60
R
G
= 3
Ω
, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v, v
GE
= 12v
2010 30 40 50 600
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 15v
HGTG30N60A4D

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©200 4 FairchildSemiconductorCorpor在i在HGTG30N60一个4DRev.B 1 图示 5. 集电级至发射级在-状态电压图示 6. 集电级至发射级在-状态电压图示 7. 转变-在活力丧失 vs 集电级至发射级电流图示 8. 转变-止活力丧失 vs 集电级至发射级电流图示 9. 转变-在延迟时间 vs 集电级至发射级电流图示 10. 转变-在上升时间 vs 集电级至发射级电流典型效能曲线除非否则指定 (持续) 01.0 V CE , 集电级至发射级电压 (v) I CE , 集电级至发射级电流 (一个) 0 10 20 1.5 2.0 2.5 40 30 T J = 150 o C 脉冲波持续时间 = 250 µ s 职责循环 < 0.5%, v GE = 12v 50 T J = 25 o C 0.5 T J = 125 o C I CE , 集电级至发射级电流 (一个) V CE , 集电级至发射级电压 (v) 职责循环 < 0.5%, v GE = 15v 脉冲波持续时间 = 250 µ s T J = 150 o C T J = 25 o C T J = 125 o C 0 10 20 40 30 50 0 1.0 1.5 2.0 2.50.5 E ON2 , 转变-在活力丧失 ( µ j) 1000 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) 500 1500 0 3500 10 20 30 40 50 60 T J = 125 o c, v GE = 12v, v GE = 15v R G = 3 Ω , l = 200 µ h, v CE = 390v T J = 25 o c, v GE = 12v, v GE = 15v 0 2500 2000 3000 1000 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) E 止 , 转变-止活力丧失 ( µ j) 0 600 200 800 1200 1400 T J = 25 o c, v GE = 12v 或者 15v T J = 125 o c, v GE = 12v 或者 15v 400 R G = 3 Ω , l = 200 µ h, v CE = 390v 10 20 30 40 50 600 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t d(在)i , 转变-在延迟时间 (ns) 20 22 24 26 28 34 10 20 30 40 50 600 T J = 25 o c, t J = 125 o c, v GE = 15v T J = 25 o c, t J = 125 o c, v GE = 12v R G = 3 Ω , l = 200 µ h, v CE = 390v 32 30 I CE , 集电级至发射级电流 (一个) t rI , 上升时间 (ns) 0 40 20 100 80 60 R G = 3 Ω , l = 200 µ h, v CE = 390v T J = 125 o c, v GE = 15v, v GE = 12v 2010 30 40 50 600 T J = 25 o c, v GE = 12v T J = 25 o c, v GE = 15v HGTG30N60A4D

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