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资料编号:791647
 
资料名称:2SC4570-T1
 
文件大小: 66K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
 
 


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2
2SC4570
电的 特性 (t
一个
= 25
c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 截止 电流 I
CBO
0.1
AV
CB
= 15 v, ie = 0
发射级 截止 电流 I
EBO
0.1
AV
EB
= 1 v, ic = 0
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)
0.5 V h
FE
= 10, ic = 5 毫安
直流 电流 增益 h
FE
40 100 200
V
CE
= 5 v, ic = 5 毫安
*1
增益 带宽 产品 f
T
5.5 GHz V
CE
= 5 v, ic = 5 毫安, f = 1 ghz
输出 电容 C
ob
0.7 0.9 pF V
CB
= 3 v, ie = 0, f = 1 mhz
嵌入 电源 增益
S
21e
2
5.0 dB V
CE
= 5 v, ic = 5 毫安, f = 1 ghz
*1
脉冲波 度量 pw
350
s, 职责 循环
2 %
h
FE
分类
分级 T72 T73 T74
标记 T72 T73 T74
h
FE
40 至 80 60 至 120 100 至 200
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