2SC4570-T1_集成电路资料查询网

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2SC4570
典型  特性 (t
一个
= 25


c)
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
150
100
50
0 50 100 150
T
一个
-包围的 温度-
°
C
P
T
-总的 电源 消耗-mw
10
50
20
100
200
0.5 1 52102050
I
C
-集电级 电流-毫安
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
h
NF
-直流 电流 增益
0
8
16
24
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V
是
-根基  至 发射级 电压-v
集电级 电流 vs.
根基  至 发射级 电压
I
C
-集电级 电流-毫安
V
CE
= 5 v
8
4
16
12
嵌入 电源 增益 vs.
集电级 电流
|S
21e
|
2
-嵌入 电源 增益-db
自由 空气
120 mw
0
10
20
30
246810
V
CE
-集电级  至 发射级 电压-v
集电级 电流 vs.
集电级  至 发射级 电压
I
C
-集电级 电流-毫安
140   一个
µ
120   一个
µ
100   一个
µ
80   一个
µ
60   一个
µ
40   一个
µ
µ
20   一个
I
B
= 160   一个
µ
V
CE
= 5 v
0
0.5 1 52102050
I
C
-集电级 电流-毫安
0
2
4
6
8
152 10 10050200.5
I
C
-集电级 电流-毫安
增益 带宽 产品 vs.
集电级 电流
f
T
-增益 带宽 产品-ghz
f = 1 ghz f = 1 ghz
3 v
V
CE
= 5 v
3 v
V
CE
= 5 v

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3 2SC4570 典型特性 (t 一个 = 25   c) 总的电源消耗 vs. 包围的温度 150 100 50 0 50 100 150 T 一个 -包围的温度- ° C P T -总的电源消耗-mw 10 50 20 100 200 0.5 1 52102050 I C -集电级电流-毫安直流电流增益 vs. 集电级电流 h NF -直流电流增益 0 8 16 24 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V 是 -根基至发射级电压-v 集电级电流 vs. 根基至发射级电压 I C -集电级电流-毫安 V CE = 5 v 8 4 16 12 嵌入电源增益 vs. 集电级电流 \|S 21e \| 2 -嵌入电源增益-db 自由空气 120 mw 0 10 20 30 246810 V CE -集电级至发射级电压-v 集电级电流 vs. 集电级至发射级电压 I C -集电级电流-毫安 140 一个 µ 120 一个 µ 100 一个 µ 80 一个 µ 60 一个 µ 40 一个 µ µ 20 一个 I B = 160 一个 µ V CE = 5 v 0 0.5 1 52102050 I C -集电级电流-毫安 0 2 4 6 8 152 10 10050200.5 I C -集电级电流-毫安增益带宽产品 vs. 集电级电流 f T -增益带宽产品-ghz f = 1 ghz f = 1 ghz 3 v V CE = 5 v 3 v V CE = 5 v

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