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资料编号:803429
资料名称:
ADG819BRM
文件大小: 195K
说明
:
介绍
:
0.5 OHM CMOS 1.8 V to 5.5 V 2:1 Mux/SPDT Switches
: 点此下载
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3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 0
adg819/adg820
–6–
–T
ypical 效能 特性
V
D
, v
S
– v
1.0
012345
在 阻抗 –
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
T
一个
= 25
C
V
DD
= 3v
V
DD
= 5.5v
V
DD
= 5v
V
DD
= 4.5v
V
DD
= 2.7v
V
DD
= 3.3v
tpc 1.
在 阻抗 vs. v
D
(v
S
)
V
D
, v
S
– v
10
0
0.2
0.6
1.0
1.2
1.6
在 阻抗 –
8
6
4
2
0
9
7
5
3
1
T
一个
= 25
C
V
DD
= 1.8v
0.4
0.8
1.4
1.8
tpc 2.
在 阻抗 vs. v
D
(v
S
)
温度 –
C
10
060
泄漏 电流 – na
6
4
2
0
–2
20
40
100
12080
8
I
S
(止)
I
D
,
I
S
(在)
V
DD
= 3v, 5v
tpc 3.
泄漏 电流 vs. 温度
V
D
, v
S
– v
1.0
0
1.5
在 阻抗 –
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
DD
= 3v
0.5
1.0
2.5
3.0
T
一个
= +85
C
T
一个
= +125
C
T
一个
= +25
C
T
一个
= –40
C
2.0
tpc 4.
在 阻抗 vs. v
D
(v
S
) 为 不同的 温度
V
D
, v
S
– v
1.0
03
在 阻抗 –
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
DD
= 5v
12
45
T
一个
= +85
C
T
一个
= +125
C
T
一个
= +25
C
T
一个
= –40
C
tpc 5.
在 阻抗 vs. v
D
(v
S
) 为 不同的 温度
温度 –
C
50
–40
20
时间 – ns
40
30
20
10
0
–20
0
80
12040
t
在
60
100
t
止
V
DD
= 3v, 5v
V
DD
= 5v
V
DD
= 3v
tpc 6.
t
在
/t
止
时间 vs. 温度 (adg819)
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