BC857BL3_集成电路资料查询网

jan-30-2004
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bc857bl3, bc858bl3
2
3
1
pnp 硅 af 晶体管
初步的 数据
•
为 af 输入 stages 和 驱动器 产品
•
高 电流 增益
•
低 集电级-发射级 饱和 电压
•
complementary 类型: bc847bl3,
bc848bl3 (npn)
类型 标记 管脚 配置 包装
BC857BL3
BC858BL3
3F
3K
1 = b
1 = b
2 = e
2 = e
3 = c
3 = c
tslp-3-1
tslp-3-1
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
BC857BL3
BC858BL3
V
CEO
45
30
V
集电级-发射级 电压
BC857BL3
BC858BL3
V
CES
50
30
集电级-根基 电压
BC857BL3
BC858BL3
V
CBO
50
30
发射级-根基 电压
BC857BL3
BC858BL3
V
EBO
5
5
集电级 电流
I
C
100 毫安
顶峰 集电级 电流
I
CM
200
总的 电源 消耗
T
S
≤
138°C
P
tot
250 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
参数 标识 值 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
≤
50
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

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jan-30-2004 1 bc857bl3, bc858bl3 2 3 1 pnp 硅 af 晶体管初步的数据 • 为 af 输入 stages 和驱动器产品 • 高电流增益 • 低集电级-发射级饱和电压 • complementary 类型: bc847bl3, bc848bl3 (npn) 类型标记管脚配置包装 BC857BL3 BC858BL3 3F 3K 1 = b 1 = b 2 = e 2 = e 3 = c 3 = c tslp-3-1 tslp-3-1 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 BC857BL3 BC858BL3 V CEO 45 30 V 集电级-发射级电压 BC857BL3 BC858BL3 V CES 50 30 集电级-根基电压 BC857BL3 BC858BL3 V CBO 50 30 发射级-根基电压 BC857BL3 BC858BL3 V EBO 5 5 集电级电流 I C 100 毫安顶峰集电级电流 I CM 200 总的电源消耗 T S ≤ 138°C P tot 250 mW 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg -65 ... 150 热的阻抗参数标识值单位接合面 - 焊接要点 1) R thJS ≤ 50 k/w 1 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

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