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资料编号:809716
 
资料名称:BC857BL3
 
文件大小: 136K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon AF Transistors
 
 


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jan-30-2004
3
bc857bl3, bc858bl3
交流 特性
转变 频率
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 mhz
f
T
- 250 - MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 3 - pF
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
eb
- 8 -
短的-电路 输入 阻抗
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 1 khz
h
11e
- 4.5 -
k
打开-电路 反转 电压 transf. 比率
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 1 khz
h
12e
- 2 -
10
-4
短的-电路 向前 电流 transf. 比率
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 1 khz
h
21e
- 330 - -
打开-电路 输出 admittance
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 1 khz
h
22e
- 30 -
µ
S
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