BTS 770 G
半导体 组 9 1999-01-07
电的 特性
便条: 最大 比率 是 绝对 比率; exceeding 任何 一个 的 这些 值 将
导致 irreversible 损坏 至 这 整体的 电路.
绝对 最大 比率
– 40
°
c <
T
j
< 150
°
C
参数 标识 限制 值 单位 Remarks
最小值 最大值
高-一侧-switches (管脚 dhvs, gh1,2 和 sh1,2)
供应 电压
V
S
– 0.3 43 V –
hs-流 电流
I
DHS
– 8
*
一个
*
内部 限制
hs-输入 电流
I
GH
– 2 2 毫安 管脚 gh1 和 gh2
hs-输入 电压
V
GH
– 10 16 V 管脚 gh1 和 gh2
状态 输出 st
状态 输出 电流
I
ST
– 5 5 毫安 管脚 st
低-一侧-switches (管脚 dl1,2, gl1,2 和 sl1,2)
破裂-向下 电压
V
(br)dss
50 – V
V
GS
= 0 v;
I
D
<= 1 毫安
ls-流 电流
I
DLS
–10A–
ls-流 电流
I
DLS
–20A
t
< 1 ms;
ν<
0.1
ls-流 电流
I
DLS
–30A
t
< 0.1 ms;
ν<
0.1
ls-输入 电压
V
GL
– 10 14 V 管脚 gl1 和 gl2
温度
接合面 温度
T
j
– 40 150
°
C–
存储 温度
T
stg
– 50 150
°
C–
热的 抵制 (一个 hs-ls-path 起作用的)
ls-接合面 情况
R
thjCLS
– 20 k/w 量过的 至 pin3 或者 12
hs-接合面 情况
R
thjCHS
– 20 k/w 量过的 至 pin19
接合面 包围的
R
thja
– 60 k/w –