首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:82927
 
资料名称:SI9926ADY
 
文件大小: 37.12K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SI9926ADY的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI9926ADY的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI9926ADY的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9926ADY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71633
s-04055—rev. 一个, 25-六月-01
www.vishay.com
1
双 n-频道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管

V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.030 @ v
GS
= 4.5 v 6
20
0.040 @ v
GS
= 2.5 v 5
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
n-频道 场效应晶体管
G
1
D
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
G
2
D
2
S
2



参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
20
门-源 电压 V
GS
12
V
T
一个
= 25
C 6 4.8
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
5 3.8
搏动 流 电流 I
DM
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.7 1.0
T
一个
= 25
C 2.0 1.25
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C

参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 50 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
80 100
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
30 40
c/w
注释
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com