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资料编号:82927
 
资料名称:SI9926ADY
 
文件大小: 37.12K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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Si9926ADY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71633
s-04055
rev. 一个, 25-六月-01
www.vishay.com
3


0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0 6 12 18 24 30
0.0
0.9
1.8
2.7
3.6
4.5
0 3 6 9 12 15
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
048121620
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
V
GS
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 6 一个
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 6 一个
T
J
接合面 温度 (
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 2.5 v
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0246810
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 6 一个
20
10
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
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