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IDT70V28L
高-速 3.3v 64k x 16 双-端口 静态的 内存 工业的 和 commercial 温度 范围
注释:
1. V
CC
= 3.3v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试. i
CCDC
= 90ma (典型值.)
2. 在 f = f
最大值
,
地址 和 控制 线条 (除了 输出 使能) 是 cycling 在 这 最大 频率 读 循环 的 1/t
rc,
和 使用
“
交流 测试 情况" 的 输入 水平 的 地
至 3v.
3. f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变.
4. 端口 "一个" 将 是 也 left 或者 正确的 端口. 端口 "b" 是 这 opposite 从 端口 "a".
5. 谈及 至 真实 表格 i - 碎片 使能.
注释:
1. 在 vcc
<
2.0v, 输入 leakages 是 未阐明的.
2. 谈及 至 真实 表格 i -
碎片 使能
.
标识 参数 测试 情况
70V28L
单位最小值 最大值
|I
LI
| Input leakageCurrent
(1)
V
CC
= 3.6v, v
在
= 0v 至 v
CC
___
5µA
|I
LO
| 输出 泄漏 电流
CE
(2)
= v
IH
, v
输出
= 0v 至 v
CC
___
5µA
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= +4ma
___
0.4 V
V
OH
输出 高 voltage I
OH
= -4ma 2.4
___
V
4849 tbl 09
70V28L15
com'l 仅有的
70V28L20
com'l
&放大; ind
标识 Parameter 测试 情况 版本 典型值
(1)
最大值 典型值
(1)
最大值
单位
I
CC
动态 运行
电流
(两个都 端口交流tive)
CE
= v
IL
, 输出 无能
SEM
= v
IH
f = f
最大值
(2)
com'l L 145 235 135 205
毫安
IND L
___ ___
135 220
I
SB1
Standby 电流
(both ports- ttl level
Inputs)
CE
L
=
CE
R
= v
IH
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
f = f
最大值
(2)
com'l L 40 70 35 55
毫安
IND L
___ ___
35 65
I
SB2
Standby 电流
(一个Port - ttl level
Inputs)
CE
"一个 "
= v
IL
和
CE
"b "
= v
IH
(4)
起作用的 端口 输出 无能,
f=f
最大值
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
com'l L 100 155 90 140
毫安
IND L
___ ___
90 150
I
SB3
全部 保卫by current
(both ports- 所有 cmos
Level inputs)
两个都 端口
CE
L
和
CE
R
> v
CC
- 0.2v,
V
在
> v
CC
- 0.2v or v
在
<0.2V,f = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
>V
CC
- 0.2V
com'l L 0.2 3.0 0.2 3.0
毫安
IND L
___ ___
0.2 3.0
I
SB4
全部 保卫by current
(一个Port - 所有 cmos
Level inputs)
CE
"一个 "
<0.2V和
CE
"b "
> v
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v,
V
在
> v
CC
- 0.2v or v
在
<0.2v,
起作用的 端口 outputs 无能 , f = f
最大值
(2)
com'l L 95 150 90 135
毫安
IND L
___ ___
90 145
4849 tbl 10