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资料编号:841447
 
资料名称:K9F4G08U0M
 
文件大小: 1076K
   
说明
 
介绍:
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
flash 记忆
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进步
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
擦掉 流动 chart
开始
i/o 6 = 1 ?
i/o 0 = 0 ?
*
写 60h
写 块 地址
写 d0h
读 状态 寄存器
或者 r/b = 1 ?
擦掉 错误
Yes
: 如果 擦掉 运作 结果 在 一个 错误, 编排 输出
这 failing 块 和 替代 它 和 另一 块.
*
擦掉 完成
Yes
读 流动 chart
开始
核实 ecc
写 00h
写 地址
读 数据
ecc 一代
reclaim 这 错误
页 读 完成
Yes
与非 flash 技术的 注释
(持续)
写 30h
块 替换
* step1
当 一个 错误 发生 在 这 nth 页 的 这 block ’一个’ 在 擦掉 或者 程序 运作.
* step2
copy 这 数据 在 这 1st ~ (n-1)th 页 至 这 一样 location 的 另一 自由 块. (块 ’b’)
* step3
然后, copy 这 nth 页 数据 的 这 块 ’一个’ 在 这 缓存区 记忆 至 这 nth 页 的 这 块 ’b’.
* step4
做 不 擦掉 或者 程序 至 块 ’一个’ 用 creating 一个’invalid 块’ 表格 或者其它 适合的 scheme.
缓存区 记忆 的 这 控制.
1st
块 一个
块 b
(n-1)th
nth
(页)
{
1st
(n-1)th
nth
(页)
{
一个 错误 occurs.
1
2
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