K9F4G08U0M_集成电路资料查询网

flash 记忆
1
进步
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
文档 标题
512m x 8 位 / 1g x8 位 与非 flash 记忆
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsungelectronics. samsung electronicsco., 有限公司. 保留 这 正确的
至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 yourrequests 和 questions 关于 设备. 如果 你 have
任何 questions, 请 联系这 samsung branch 办公室 near your  办公室.
修订 非
0.0
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进步
History
1. 最初的 公布
draft 日期
十一月 15. 2004

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