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ltc1735-1
APPLICATIO s i 为 ATIO
WUU
U
重大的 效率 增益 能 是 认识到 用 powering
INTV
CC
从 这 输出, 自从 这 v
在
电流 结果
从 这 驱动器 和 控制 电流 将 是 scaled 用 一个
因素 的 (职责 循环)/(效率). 为 5v regulators 这个
simply 意思 连接 这 extv
CC
管脚 直接地 至 v
输出
.
不管怎样, 为 动态 (vid-像) 编写程序 regulators
和 其它 更小的 电压 regulators, 额外的 电路系统 是
必需的 至 derive intv
CC
电源 从 这 输出.
这 下列的 列表 summarizes 这 四 可能 connec-
tions 为 extv
cc:
1. EXTV
CC
left 打开 (或者 grounded). 这个 将 导致 intv
CC
至 是 powered 从 这 内部的 5.2v 调整器 结果
在 一个 效率 penalty 的 向上 至 10% 在 高 输入
电压.
2. EXTV
CC
连接 直接地 至 v
输出
. 这个 是 这 正常的
连接 为 一个 5v 至 7v 输出 调整器 和 提供
这 最高的 效率. 为 输出 电压 >5v, extv
CC
是 必需的 至 连接 至 v
输出
所以 这 sense 管脚
绝对 最大 比率 是 不 超过.
3. EXTV
CC
连接 至 一个 外部 供应 (这个 选项
是 这 大多数 likely 使用). 如果 一个 外部 供应 是
有 在 这 5v 至 7v 范围, 此类 作 notebook 主要的
5v 系统 电源, 它 将 是 使用 至 电源 extv
CC
供应 它 是 兼容 和 这 场效应晶体管 门 驱动
(所需的)东西. 这个 是 这 典型 情况 作 这 5v 电源
是 almost 总是 呈现 和 是 获得 用 另一 高
效率 调整器.
4. EXTV
CC
连接 至 一个 输出-获得 boost 网-
工作. 为 低 输出 电压 regulators, 效率
增益 能 安静的 是 认识到 用 连接 extv
CC
至 一个
输出-获得 电压 那 有 被 boosted 至 更好
比 4.7v. 这个 能 是 完毕 和 也 这 inductive
boost winding 或者 电容的 承担 打气 电路.
谈及 至 这 ltc1735 数据 薄板 为 详细信息. 这 承担
打气 有 这 有利因素 的 简单的 磁性材料.
输出 电压 程序编制
这 输出 电压 是 设置 用 一个 外部 resistive 分隔物
符合 至 这 下列的 formula:
VV
R
R
输出
=+
08 1
2
1
.
这 resistive 分隔物 是 连接 至 这 输出 作 显示
在 图示 3 准许 偏远的 电压 感觉到.
这 输出 电压 能 是 digitally 设置 至 电压 在
任何 二 水平 和 这 增加 的 一个 电阻 和 小
信号 n-频道 场效应晶体管 作 显示 在 这 电路 的
图示 1. 动态 输出 电压 选择 能 是 accom-
plished 和 这个 技巧. 输出 电压 的 1.30v 和
1.55v 是 设置 用 这 电阻器 r1 至 r3. 和 这 门 的
这 场效应晶体管 低, (v
G
= 0), 这 输出 电压 是 设置 用 这
比率 的 r1 至 r2. 当 这 场效应晶体管 是 在 (v
G
= 高), 这
输出 电压 是 这 比率 的 r1 至 这 并行的 combina-
tion 的 r2 和 r3. 和 这 有 电源 好的 输出
(pgood), 这 电路 在 图示 1 creates 一个 低 费用 intel
pentium iii
mobile 处理器 一致的 供应.
这 ltc1735-1 有 偏远的 sense 能力. 这 顶 的 这
内部的 resistive 分隔物 是 连接 至 v
OSENSE
和 是
关联 至 这 sgnd 管脚. 这个 准许 一个 kelvin connec-
tion 为 remotely 感觉到 这 输出 电压 直接地 横过
这 加载, eliminating 任何 pc 板 查出 阻抗 errors.
topside 场效应晶体管 驱动器 供应 (c
B
, d
B
)
一个 外部 自举 电容 c
B
连接 至 这 boost
管脚 供应 这 门 驱动 电压 为 这 topside
场效应晶体管. 电容 c
B
在 这 函数的 图解 是 charged
though 外部 二极管 d
B
从 intv
CC
当 这 sw 管脚 是
低. 便条 那 这 电压 横过 c
B
是 关于 一个 二极管 漏出
在下 intv
CC
. 当 这 topside 场效应晶体管 是 至 是 转变
在, 这 驱动器 places 这 c
B
电压 横过 这 门-源
的 这 场效应晶体管. 这个 enhances 这 场效应晶体管 和 转变 在
这 topside 转变. 这 转变 node 电压 sw rises 至
V
在
和 这 boost 管脚 rises 至 v
在
+ intv
CC
. 这 值 的
这 boost 电容 c
B
needs 至 是 100 时间 更好 比
这 总的 输入 电容 的 这 topside 场效应晶体管. 在 大多数
产品 0.1
µ
f 至 0.33
µ
f 是 足够的. 这 反转
损坏 在 d
B
必须 是 更好 比 v
在(最大值) .
图示 3. 设置 这 ltc1735-1 输出 电压
V
OSENSE
V
输出
R2
1735-1 f03
ltc1735-1
R1
47pF
SGND
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