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资料编号:882240
 
资料名称:UCC27424D
 
文件大小: 385K
   
说明
 
介绍:
DUAL 4-A HIGH SPEED LOW SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
 
 


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slus545b −十一月 2002 − 修订 十一月 2004
8
www.德州仪器.com
应用 信息
源/下沉 能力 在 miller plateau
电源 mosfets 呈现 一个 大 加载 至 这 控制电路系统. 恰当的 驱动 是必需的 为 efficient, 可依靠的
运作. 这 ucc27423/4/5 驱动器 有 被 优化 至 提供 最大 驱动 至 一个 电源 场效应晶体管
这 miller plateau 区域 的 这 切换 转变. 这个 间隔 occurs 当 这 流 电压 是 swinging
这 电压 水平 dictated 用 这 电源 topology, 需要 这 charging/discharging 的 这 流-门
电容 和 电流 有提供的 或者 移除 用 这 驱动器 设备.
[1]
二 电路 是 使用 至 测试 这 电流 能力 的 这 ucc27423 驱动器. 在 各自 情况 外部 电路系统 是
增加 至clamp 这 输出 near 5 v 当 这 ic 是 sinking 或者 sourcing 电流. 一个 输入 脉冲波 的 250 ns 是 应用
在 一个 频率 的 1 khz 在 这 恰当的 极性 为 这 各自的 测试. 在 各自 测试 那里 是 一个 瞬时 时期 在哪里
这 电流 peaked 向上 和 然后 settled 向下 至 一个 稳步的-状态 值. 这 指出 电流 度量 是
制造 在 一个 时间 的 200 ns 之后 这 输入 脉冲波 是 应用, 之后 这 最初的 瞬时.
这 第一 电路 在 图示 2 是 使用 至 核实 这 电流 下沉 能力 当 这 输出 的 这 驱动器 是 clamped
周围 5 v, 一个 典型 值 的 门-源 电压 在 这 miller plateau 区域. 这 ucc27423 是 建立 至
下沉 4.5 一个 在 v
DD
= 15 v 和 4.28 一个 在 v
DD
= 12 v.
UDG−01065
UCC27423
1
2
3
4
INB
INA
7
6
5
8
OUTA
VDD
OUTB
输入
1
µ
F
CER
100
µ
F
al el
D
肖特基
VDD
C2
1
µ
F
V
SNS
R
SNS
0.1
C3
100
µ
F
10
+
V
供应
5.5 v
ENBB
ENBA
图示 3.
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