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资料编号:908263
 
资料名称:2SK3561
 
文件大小: 227K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
 
 


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2SK3561
2005-01-26
2
电的 特性
(ta
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
25 v, v
DS
=
0 v
±
10
µ
一个
门-源 损坏 电压 V
(br) gss
I
G
=
±
10
µ
一个, v
DS
=
0 v
±
30
V
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
=
500 v, v
GS
=
0 v
100
µ
一个
流-源 损坏 电压 V
(br) dss
I
D
=
10 毫安, v
GS
=
0 v 500
V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
10 v, i
D
=
1 毫安 2.0
4.0 V
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
4 一个
0.75 0.85
向前 转移 admittance
Y
fs
V
DS
=
10 v, i
D
=
4 一个 3.0 6.5
S
输入 电容 C
iss
1050
反转 转移 电容 C
rss
10
输出 电容 C
oss
V
DS
=
25 v, v
GS
=
0 v, f
=
1 mhz
110
pF
上升 时间 t
r
26
转变-在 时间 t
45
下降 时间 t
f
38
切换 时间
转变-止 时间 t
130
ns
总的 门 承担 Q
g
28
门-源 承担 Q
gs
16
门-流 承担 Q
gd
V
DD
400 v, v
GS
=
10 v, i
D
= 8
一个
12
nC
源-流 比率 和 特性
(ta
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 流 反转 电流
(便条 1)
I
DR
8 一个
脉冲波 流 反转 电流 (便条 1) I
DRP
32 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
=
8 一个, v
GS
=
0 v
1.7
V
反转 恢复 时间 t
rr
1200
ns
反转 恢复 承担 Q
rr
I
DR
=
8 一个, v
GS
=
0 v,
dI
DR
/dt
=
100 一个/
µ
s
10
µ
C
标记
R
L
=
50
0 v
10
V
V
GS
V
DD
200 v
I
D
=
4
一个 V
输出
50
职责
<
=
1%, t
w
=
10
µ
s
lot 非.
一个 线条 indicates
含铅的 (铅)-自由 包装 或者
含铅的 (铅)-自由 完成.
K3561
部分 非. (或者 abbreviation 代号)
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