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资料编号:926990
 
资料名称:LTC1155CS8
 
文件大小: 340K
   
说明
 
介绍:
Dual High Side Micropower MOSFET Driver
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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LTC1155
U
SA
O
PP
L
IC
ITY
P
I
CA
L
使用 这 第二 频道 为 故障 发现 bootstrapped 门 驱动 为 (100hz < f
O
< 10khz)
5v/3a 极其 低 电压 漏出 调整器 和 10
µ
一个 备用物品
电流 和 短的-电路 保护
automotive 高 一侧 驱动器 和 反转-电池
和 高 电压 瞬时 保护
1155 ta08
1/2
LTC1155
G1
DS1
V
S
IN1
9v 至 16v
0.02
Ω
5%
10
µ
F
valve,
MTP50N05E
*protects ttl/cmos 门 在 高 voltage
瞬时 或者 反转 battery
**not 必需的 为 inductive 或者 resistive 负载
5V
100k*
18V
1N4746A
18V
1N4746A
R
DLY
**
C
DLY
**
M
300
Ω
1/4w
+
1155 ta10
LTC1155
G1
DS2V
S
IN1
4.5v 至 5.5v
0.05
10
µ
F
加载
smd25n05-45l
便条:
流 sense 2 是 使用 至 发现 一个 故障 在 频道 1. 
门 2 pulls 向下 在 流 sense 1 至 释放 
这 场效应晶体管 和 report 这 故障 至 这
µ
P
*not 必需的 为 resistive 或者 inductive 负载
0.1
µ
F*
100k
µ
p or
CONTROL
逻辑
1N4148
1N4148
30k*
IN2
G2
DS1FLT
开关
100k
+
1155 ta11
1/2
LTC1155
G1
DS1
V
S
IN1
9v 至 18v
0.01
IRFZ44
上升 和 下降 时间 是
β
eta 时间 faster
30k
µ
p or
cmos/ttl
逻辑
2N2222
V
= 2v
S
– 0.6v
1n41480.01
µ
F
0.1
µ
F
加载
5V
18V
2N3906
1155 ta09
1/2
LTC1155
G1
DS1
V
S
IN1
5.2v 至 6v
0.02
10
µ
F
IRLR024
*capacitor 等效串联电阻 应当 是 较少 比 0.5
300k
0.1
µ
F
开关
100k
0.1
µ
F
200pF
10k
1
3
4
56
7
8
LT1431
5v/3a
470
µ
F*
故障
+
+
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