8
LTC1155
U
S
一个
O
PP
L
IC
在
I
WU
U
I 为 ATIO
如果 这 场效应晶体管 是 转变 在 和 这 电源 供应 (电池)
移除, 这 inductor 电流 是 delivered 用 这 供应
电容. 这 供应 电容 必须 是 大 足够的 至
deliver 这 活力 demanded 用 这 discharging inductor.
如果 这 存储 电容 是 too 小, 这 供应 含铅的 的 这
ltc1155 将 是 牵引的 在下 地面, permanently
destroying 这 设备.
考虑 这 情况 的 一个 加载 电感 的 1mh 这个 是
支承的 3a 当 这 6v 电源 供应 连接 是
interrupted. 一个 供应 电容 的 在 least 250
µ
f 是
必需的 至 阻止 这 供应 含铅的 的 这 ltc1155 从
正在 牵引的 在下 地面 (along 和 任何 其它 电路系统
系 至 这 供应).
任何 线 在 这 电源 场效应晶体管 源 和 这 加载
将 增加 一个 小 数量 的 parasitic 电感 在 序列
和 这 加载 (大概 0.4
µ
h/foot). 绕过 这
电源 供应 含铅的 的 这 ltc1155 和 一个 最小 的
10
µ
f 至 确保 那 这个 parasitic 加载 电感 是
释放 safely, 甚至 如果 这 加载 是 否则 resistive.
大 inductive 负载
大 inductive 负载 (>0.1mh) 将 需要 二极管 con-
nected 直接地 横过 这 inductor 至 safely divert 这
贮存 活力 至 地面. 许多 inductive 负载 有 这些
二极管 包含. 如果 不, 一个 二极管 的 这 恰当的 电流 比率
应当 是 连接 横过 这 加载 至 safely divert 这
贮存 活力.
反转-电池 保护
这 ltc1155 能 是 保护 相反 反转-电池
情况 用 连接 一个 电阻 在 序列 和 这
地面 含铅的 作 显示 在 图示 5. 这 电阻 限制 这
供应 电流 至 较少 比 50ma 和 –12v 应用. 自从
这 ltc1155 牵引 非常 little 电流 当 在 正常的
运作, 这 漏出 横过 这 地面 电阻 是 minimal.
这 ttl 或者 cmos 驱动 逻辑 是 保护 相反
反转-电池 情况 用 这 100k 输入 电流 lim-
iting 电阻. 这 增加 的 100k 阻抗 在 序列
和 这 输入 管脚 将 不 影响 这 转变 在 和 转变 止
时间 这个 是 dominated 用 这 控制 门 承担
和 释放 时期.
图示 4. 切换 供应
1155 f04
IRLZ34
L
加载
LTC1155
地
地
G1
DS1
V
S
IN1
C
DLY
R
SEN
0.025
Ω
R
DLY
C
S
+
+
sense 管脚 和 dramatically 减少 这 数量 的 时间
这 场效应晶体管 是 在 一个 超载 情况. 这 流 sense
电阻 值 是 选择 至 限制 这 最大 直流 电流
至 4a. 在之上 28a, 这 延迟 时间 drops 至 10
µ
s.
切换 供应 产品
大 inductive 负载, 此类 作 solenoids, 接转 和
发动机 store 活力 这个 必须 是 directed 后面的 至 也
这 电源 供应 或者 至 地面 当 这 供应 电压 是
interrupted (看 图示 4). 在 正常的 运作, 当 这
转变 是 转变 止, 这 活力 贮存 在 这 inductor 是
harmlessly absorbed 用 这 场效应晶体管; i.e., 这 电流
flows 输出 的 这 供应 通过 这 场效应晶体管 直到 这
inductor 电流 falls 至 零.
1155 f03
IRLZ34
加载
LTC1155
地
地
G1
DS1
V
S
IN1
V
S
= 5.0v
C
DLY
0.22
µ
F
R
SEN
0.025
Ω
R
DLY
270k
D1
1N4148
图示 3. 使用 一个 速-向上 二极管
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