6.42
idt70v06s/l
高-速 16k x 8 双-端口 静态的 内存 工业的 和 商业的 温度 范围
13
注释:
1. 端口-至-端口 延迟 通过 sram cells 从 writing 端口 至 读 端口, 谈及 至 "定时 波形 的 读 和
BUSY
(m/
S
= v
IH
) 或者 "定时 波形 的 写 和
端口-至-端口 延迟 (m/
S
=V
IL
)".
2. 至 确保 那 这 早期 的 这 二 端口 wins.
3. t
BDD
是 一个 计算 参数 和 是 这 更好 的 0, t
WDD
–
t
WP
(真实的) 或者 t
DDD
–
t
DW
(真实的).
4. 至 确保 那 这 写 循环 是 inhibited 在 contention.
5. 至 确保 那 一个 写 循环 是 完成 之后 contention.
6. "x" 是 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
70V06X15
com'l ony
70V06X20
com'l
&放大; ind
70V06X25
com'l
&放大; ind
标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.单位
TIMIng (m/
= v
IH
)
t
BAA
进入 时间 从 地址 相一致
____
15
____
20
____
20 ns
t
BDA
使不能运转 时间 从 地址 不 matched
____
15
____
20
____
20 ns
t
BAC
进入 时间 从 碎片 使能 低
____
15
____
20
____
20 ns
t
BDC
Dis able时间from 碎片Enable高
____
15
____
17
____
17 ns
t
APS
arbitration priority 设置-向上 时间
(2)
5
____
5
____
5
____
ns
t
BDD
使不能运转 至 有效的 数据
(3)
____
18
____
30
____
30 ns
t
WH
写 支撑 之后
(5)
12
____
15
____
17
____
ns
TIMIng (m/
= v
IL
)
t
WB
Input 至写
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WH
写 支撑 之后
(5)
12
____
15
____
17
____
ns
端口-至-端口 延迟 德州仪器MING
t
WDD
写脉冲波 至 数据 延迟
(1)
____
30
____
45
____
50 ns
t
DDD
写 数据 有效的至 读 数据 延迟
(1)
____
25
____
35
____
35 ns
2942 tb l13a
70V06X35
com'l
&放大; ind
70V06X55
com'l
&放大; ind
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
TIMIng (m/
= v
IH
)
t
BAA
进入 时间 从 地址 相一致
____
20
____
45 ns
t
BDA
使不能运转 时间 从 地址 不 matched
____
20
____
40 ns
t
BAC
进入 时间 从 碎片 使能 低
____
20
____
40 ns
t
BDC
Dis able时间from 碎片Enable高
____
20
____
35 ns
t
APS
arbitration priority 设置-向上 时间
(2)
5
____
5
____
ns
t
BDD
使不能运转 至 有效的 数据
(3)
____
35
____
40 ns
t
WH
写 支撑 之后
(5)
25
____
25
____
ns
TIMIng (m/
= v
IL
)
t
WB
Input 至写
(4)
0
____
0
____
ns
t
WH
写 支撑 之后
(5)
25
____
25
____
ns
端口-至-端口 延迟 德州仪器MING
t
WDD
写脉冲波 至 数据 延迟
(1)
____
60
____
80 ns
t
DDD
写 数据 有效的至 读 数据 延迟
(1)
____
45
____
65 ns
2942 tb l 13b
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