2SD669A_集成电路资料查询网

2sd669, 2sd669a
4
3.5
5.5
4.0
4.5
5.0
典型 输出 characteristecs
T
C
= 25
°
C
P
C
= 20 w
I
B
= 0
0.5 毫安
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
01020
集电级 至 发射级 电压  v
CE
(v)
504030
集电级 电流  i
C
(一个)
典型 转移 特性
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
集电级 电流  i
C
(毫安)
根基 至 发射级 电压  v
是
(v)
V
CE
= 5 v
ta = 75
°
C
25
–25
300
250
200
150
100
50
1
130
直流 电流 转移 比率  h
FE
300100103
集电级 电流  i
C
(毫安)
1,000 3,000
直流 电流 转移 比率
vs. 集电级 电流
V
CE
= 5 v
ta = 75
°
C
–25
25
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1 3 30 30010 100 1,000
集电级 至 发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
集电级 电流  i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 饱和 电压  v
ce(sat)
(v)
25
–25
T
C
= 75
°
C
I
C
= 10 i
B

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2sd669, 2sd669a 4 3.5 5.5 4.0 4.5 5.0 典型输出 characteristecs T C = 25 ° C P C = 20 w I B = 0 0.5 毫安 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 01020 集电级至发射级电压 v CE (v) 504030 集电级电流 i C (一个) 典型转移特性 500 200 100 50 20 10 5 2 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 集电级电流 i C (毫安) 根基至发射级电压 v 是 (v) V CE = 5 v ta = 75 ° C 25 –25 300 250 200 150 100 50 1 130 直流电流转移比率 h FE 300100103 集电级电流 i C (毫安) 1,000 3,000 直流电流转移比率 vs. 集电级电流 V CE = 5 v ta = 75 ° C –25 25 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0 0.2 1 3 30 30010 100 1,000 集电级至发射级饱和电压 vs. 集电级电流集电级电流 i C (毫安) 集电级至发射级饱和电压 v ce(sat) (v) 25 –25 T C = 75 ° C I C = 10 i B

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