rev. 0–6–
adg821/adg822/adg823
–typical 效能 特性
V
D
(v
S
) – v
0
在 阻抗 –
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
12345
V
DD
= 2.7v
V
DD
= 3.0v
V
DD
= 3.3v
V
DD
= 4.5v
V
DD
= 5.0v
V
DD
= 5.5v
T
一个
= 25
C
5
tpc 1. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
)
V
D
(v
S
) – v
在 阻抗 –
0.8
0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
+125
C
+85
C
+25
C
–40
C
V
DD
= 3v
tpc 4. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
)
为 不同的 温度
温度 –
C
时间 – ns
0
10
20
30
40
50
60
–40 –20 0 20 40 60 80 100 1200
V
DD
= 3v
V
DD
= 3v, 5v
T
一个
= 25
C
t
在
t
止
V
DD
= 5v
tpc 7. t
在
/t
止
vs. 温度
V
D
(v
S
) – v
在 阻抗 –
5.0
0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
T
一个
= 25
C
V
DD
= 1.8v
tpc 2. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
)
温度 –
C
020 120
40 60 80 100
电流 – na
8
7
–1
3
2
1
0
6
4
5
125
I
S
, i
D
(在)
V
DD
= 5v, 3v
I
S
(止)
I
D
(止)
tpc 5. 泄漏 电流 vs.
温度
频率 – mhz
0
100
一个ttenuation – db
110
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
V
DD
= 3v, 5v
T
一个
= 25
C
0.2
tpc 8. 止 分开 vs. 频率
V
D
(v
S
) – v
在 阻抗 –
0.8
0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
+125
C
+85
C
+25
C
–40
C
V
DD
= 5v
tpc 3. 在 阻抗 vs. v
D
(v
S
)
为 不同的 温度
vs – v
0 0.5 3.0
1.0 1.5 2.0 2.5
承担 injection – pc
–200
–150
–100
–50
0
50
100
150
200
3.5 4.0 4.5 5.0
V
DD
= 3v
V
DD
= 5v
T
一个
= 25
C
tpc 6. 承担 injection vs.
源 电压
频率 – mhz
0
100
一个ttenuation – db
0.1 1 10
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
V
DD
= 3v, 5v
T
一个
= 25
C
–8
–9
tpc 9. 在 回馈 vs. 频率
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