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资料编号:965353
 
资料名称:ADP3412
 
文件大小: 135K
   
说明
 
介绍:
Dual MOSFET Driver with Bootstrapping
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ADP3412
–3–
rev. 0
管脚 函数 描述
管脚 Mnemonic 函数
1 BST floating 自举 供应 为 这 upper场效应晶体管. 一个 电容 连接 在 bst 和 sw 管脚
holds 这个 bootstrapped 电压 为 这 高-一侧 场效应晶体管 作 它 是 切换. 这 电容 应当 是
选择 在 100 nf 和 1
f.
2 ttl-水平的 输入 信号, 这个 有 primary 控制 的 这 驱动 输出.
3 DLY 低-高 转变 延迟. 一个 电容 从 这个 管脚 至 地面 programs 这 传播 延迟 从
转变-止 的 这 更小的 场效应晶体管 至 转变-在 的 这 upper 场效应晶体管. 这 formula 为 这 低-高 转变 延迟
是 dly = c
DLY
×
(1 ns/pf) + 20 ns.这 上升 时间 为 转变-在 的 这 upper 场效应晶体管 是 不 包含 在 这 formula.
4 VCC 输入 供应. 这个 管脚 应当 是 绕过 至 pgnd 和 ~1
µ
f 陶瓷的 电容.
5 DRVL 同步的 整流器 驱动. 输出 驱动 为 这 更小的 (同步的 整流器) 场效应晶体管.
6 PGND 电源 地面. 应当 是 closely 连接 至 这 源 的 这 更小的 场效应晶体管.
7 SW 这个 管脚 是 连接 至 这 buck-切换 node,关闭 至 这 upper 场效应晶体管
s 源. 它 是 这 floating
返回 为 这 upper 场效应晶体管 驱动 信号. 它 是 也 使用 至 监控 这 切换 电压 至 阻止 转变-
在 的 这 更小的 场效应晶体管 直到 这 电压 是 在下 ~1 v. 因此, 符合 至 运行 情况, 这
高-低 转变 延迟 是 决定 在 这个 管脚.
8 DRVH buck 驱动. 输出 驱动 为 这 upper (buck) 场效应晶体管.
订货 手册
模型 温度 范围 包装 描述 包装 选项
ADP3412JR 0
°
c 至 70
°
C 8-含铅的 标准 小 外形 包装 (soic) r-8
管脚 配置
1
2
3
4
8
7
6
5
顶 视图
(不 至 规模)
ADP3412
BST
DLY
VCC
DRVH
SW
PGND
DRVL
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然
这 adp3412 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在
设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是
推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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