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资料编号:965357
 
资料名称:ADP3418JR
 
文件大小: 224K
   
说明
 
介绍:
Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable
 
 


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rev. 0
ADP3418
–3–
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然 这
adp3418 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在 设备
subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐
至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
绝对 最大 比率
*
VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +15 v
BST . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 vcc + 15 v
bst 至 sw . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +15 v
SW
直流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –5 v 至 +15 v
<200 ns . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –10 v 至 +15 v
DRVH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . sw – 0.3 v 至 bst + 0.3 v
drvl (<200 ns) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –2 v 至 vcc + 0.3 v
所有 其它 输入 和 输出 . . . . . . . –0.3 v 至 vcc + 0.3 v
运行 包围的 温度 范围 . . . . . . . . 0
°
c 至 85
°
C
运行 接合面 温度 范围 . . . . . . . 0
°
c 至 150
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
管脚 配置
rn-8
ADP3418
顶 视图
(不 至 规模)
BST
OD
VCC
DRVH
SW
PGND
DRVL
1
2
3
8
7
6
4
5
管脚 函数 描述
管脚 非. Mnemonic 描述
1 BST upper 场效应晶体管 floating 自举 供应. 一个 电容 连接 在bst 和 sw 管脚 holds
这个bootstrapped 电压 为 这 高-一侧 场效应晶体管 作 它 是 切换. 这 电容 应当 是 选择 在
100 nf 和 1
µ
f.
2IN 逻辑 水平的 输入. 这个 管脚 有 primary 控制 的 这 驱动 输出.
3
OD
输出 使不能运转. 当 低, 这个 管脚 使不能运转 正常的 运作, forcing drvh 和 drvl 低.
4 VCC 输入 供应. 这个 管脚 应当 是 绕过 至 pgnd 和 ~1
µ
f 陶瓷的 电容.
5 DRVL 同步的 整流器 驱动. 输出 驱动 为 这 更小的 (同步的 整流器) 场效应晶体管.
6P 电源 地面. 应当 是 closely 连接 至 这 源 的 这 更小的 场效应晶体管.
7SW 这个 管脚 是 连接 至 这 buck-切换 node, 关闭 至 这 upper 场效应晶体管’s 源. 它 是 这 floating
返回 为 这 upper 场效应晶体管 驱动 信号. 它 是 也 使用 至 监控 这 切换 电压 至 阻止 转变-在 的
这 更小的 场效应晶体管 直到 这 电压 是 在下 ~1 v. 因此, 符合 至 运行 情况, 这 高-低
转变 延迟 是 决定 在 这个 管脚.
8 DRVH buck 驱动. 输出 驱动 为 这 upper (buck) 场效应晶体管.
接合面-至-空气 热的 阻抗 (
θ
JA
)
2-layer 板 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
°
c/w
4-layer 板 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
°
c/w
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . 300
°
C
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
°
C
*
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
部分 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 绝对 最大
比率 应用 individually 仅有的, 不 在 结合体. 除非 否则 指定, 所有
电压 是 关联 至 pgnd.
订货 手册
模型 温度 范围 包装 选项
ADP3418JR 0
°
c 至 85
°
C rn-8 (soic-8)
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