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资料编号:966585
 
资料名称:AM28F256-120PEB
 
文件大小: 493K
   
说明
 
介绍:
256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2 Am28F256
commands 是 写 至 这 command 寄存器 使用
标准 微处理器 写 timings. 寄存器 con-
tents 提供 作 输入 至 一个 内部的 状态-机器 这个
控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 在
写 循环, 这 command 寄存器 内部 latches ad-
dress 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉
行动. 为 系统 设计 simplification, 这
am28f256 是 设计 至 support 也 我们
#
或者 ce
#
控制 写. 在 一个 系统 写 循环, ad-
dresses 是 latched 在 这 下落 边缘 的 我们
#
或者 ce
#
whichever occurs last. 数据 是 latched 在 这 rising 边缘
的 我们
#
或者 ce
#
whichever occurs 第一. 至 使简化 这 fol-
lowing discussion, 这 我们
#
管脚 是 使用 作 这 写 循环
控制 管脚 全部地 这 rest 的 这个 text. 所有 建制 和
支撑 时间 是 和 遵守 至 这 我们
#
信号.
amd’s flash 技术 结合 年 的 非易失存储器
和 可擦可编程只读存储器 experience 至 生产 这 最高的 水平
的 质量, 可靠性, 和 费用 成效. 这
am28f256 用电气 erases 所有 位 同时发生地
使用 fowler-nordheim tunneling. 这 字节 是
编写程序 一个 字节 在 一个 时间 使用 这 非易失存储器
程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
块 图解
产品 选择 手册
家族 部分 号码
Am28F256
速 选项 (v
CC
= 5.0 v
±
10%)
-70 -90 -120 -150 -200
最大值 进入 时间 (ns) 70 90 120 150 200
ce# (e#) 进入 (ns) 70 90 120 150 200
oe# (g#) 进入 (ns) 35 35 50 55 55
擦掉
电压
转变
Command
寄存器
程序
电压
转变
碎片 使能
输出 使能
逻辑
y-解码器
x-解码器
y-gating
262,144
cell 矩阵变换
11560f-1
A0–A14
OE#
CE#
WE#
V
SS
V
CC
至 排列
DQ0–DQ7
输入/输出
缓存区
数据
获得
V
PP
地址
获得
低 v
CC
探测器
程序/擦掉
脉冲波 计时器
状态
控制
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