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产品 数据 薄板 rev. 01 — 18 将 2004 5 的 22
飞利浦 半导体
BF1205C
双 n-频道 双 门 mos-场效应晶体管
8. 动态 特性
8.1 动态 特性 为 amplifier 一个
(1) I
d(b)
; r
G1
= 120 k
Ω
.
(2) I
d(b)
; r
G1
= 150 k
Ω
.
(3) I
d(b)
; r
G1
= 180 k
Ω
.
(4) I
d(一个)
; r
G1
= 180 k
Ω
.
(5) I
d(一个)
; r
G1
= 150 k
Ω
.
(6) I
d(一个)
; r
G1
= 120 k
Ω
.
V
GG
= 5 v: amplifier 一个 是 止; amplifier b 是 在
V
GG
= 0 v: amplifier 一个 是 在; amplifier b 是 止.
图 2. 流 电流 的 mos-场效应晶体管 一个 和 b 作 函数
的 v
GG
.
图 3. 函数的 图解.
001aaa552
8
12
4
16
20
I
D
(毫安)
0
V
GG
(v)
054231
(2)
(5)
(4)
(6)
(3)
(1)
001aaa553
R
G1
V
GG
g1 (b)
g2
g1 (一个)
d (b)
s
d (一个)
表格 8: 动态 特性 为 amplifier 一个
[1]
一般 源; t
amb
=25
°
c; v
g2-s
=4v; v
DS
=5v; i
D
= 19 毫安.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
y
fs
向前 转移 admittance T
j
=25
°
C263141mS
C
ig1-ss
输入 电容 在 门 1 f = 1 MHz - 2.2 2.7 pF
C
ig2-ss
输入 电容 在 门 2 f = 1 MHz - 3.0 - pF
C
oss
输出 电容 f = 1 MHz - 0.9 - pF
C
rss
反转 转移 电容 f = 1 MHz - 20 - fF
G
tr
电源 增益 B
S
=B
s(opt)
; b
L
=B
l(opt)
f = 200 mhz; g
S
= 2 ms; g
L
= 0.5 mS 31 35 39 dB
f = 400 mhz; g
S
= 2 ms; g
L
= 1 mS 26 30 34 dB
f = 800 mhz; g
S
= 3.3 ms; g
L
=1mS 21 25 29 dB
NF 噪音 figure f = 11 mhz; g
S
= 20 ms; b
S
= 0 s - 3.0 - dB
f = 400 mhz; y
S
=Y
s(opt)
- 1.3 1.9 dB
f = 800 mhz; y
S
=Y
s(opt)
- 1.4 2.1 dB