cny75(g) 序列
Vishay
半导体
rev. a4, 11–jan–99 5 (12)
切换 特性 的 cny75(g(一个
参数 测试 情况 标识 典型值 单位
延迟 时间 V
S
= 5 v, i
C
= 10 毫安, r
L
= 100
W
(看 图示 3) t
d
2.0
m
s
上升 时间
S C L
(g)
t
r
2.5
m
s
下降 时间 t
f
2.7
m
s
存储 时间 t
s
0.3
m
s
转变-在 时间 t
在
4.5
m
s
转变-止 时间 t
止
3.0
m
s
转变-在 时间 V
S
= 5 v, i
F
= 10 毫安, r
L
= 1 k
W
(看 图示 4) t
在
10.0
m
s
转变-止 时间
S F L
(g)
t
止
25.0
m
s
切换 特性 的 cny75(g)b
参数 测试 情况 标识 典型值 单位
延迟 时间 V
S
= 5 v, i
C
= 10 毫安, r
L
= 100
W
(看 图示 3) t
d
2.5
m
s
上升 时间
S C L
(g)
t
r
3.0
m
s
下降 时间 t
f
3.7
m
s
存储 时间 t
s
0.3
m
s
转变-在 时间 t
在
5.5
m
s
转变-止 时间 t
止
4.0
m
s
转变-在 时间 V
S
= 5 v, i
F
= 10 毫安, r
L
= 1 k
W
(看 图示 4) t
在
16.5
m
s
转变-止 时间
S F L
(g)
t
止
20
m
s
切换 特性 的 cny75(g)c
参数 测试 情况 标识 典型值 单位
延迟 时间 V
S
= 5 v, i
C
= 10 毫安, r
L
= 100
W
(看 图示 3) t
d
2.8
m
s
上升 时间
S C L
(g)
t
r
4.2
m
s
下降 时间 t
f
4.7
m
s
存储 时间 t
s
0.3
m
s
转变-在 时间 t
在
7.0
m
s
转变-止 时间 t
止
5.0
m
s
转变-在 时间 V
S
= 5 v, i
F
= 10 毫安, r
L
= 1 k
W
(看 图示 4) t
在
11
m
s
转变-止 时间
S F L
(g)
t
止
37.5
m
s
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