DG2011
vishay siliconix
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6
文档 号码: 70102
s-50509—rev. e,21-三月-05
测试 电路
图示 1.
切换 时间
图示 2.
破裂-在之前-制造 间隔
图示 3.
承担 injection
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
NC
V
非
非
转变
输入
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
V+
在
非 或者 nc
C
L
35 pf
COM
逻辑
输入
R
L
300
V
输出
地
V+
50%
0 v
0 v
逻辑
输入
转变
输出
t
在
t
止
逻辑 “1” = 转变 在
逻辑 输入 波形 inverted 为 switches 那 有
这 opposite 逻辑 sense.
止
OnOn
在
V
输出
V
输出
q =
V
输出
x c
L
C
L
COM
R
gen
V
输出
nc 或者 非
3 v
在
V
gen
地
V+
V+
0 v
转变 输出
V
输出
V
COM
R
L
R
L
R
在
+ 3 v
0.9 x v
输出
t
r
5 ns
t
f
5 ns
在 取决于 在 转变 配置: 输入 极性
决定 用 sense 的 转变.
+
V
NC
0 v
3 v
0 v
逻辑
输入
转变
输出
V
O
V
NC
= v
非
t
r
<5 ns
t
f
<5 ns
90%
t
D
t
D
在
COM
V+
地
V+
C
L
35 pf
V
O
R
L
300