DG2011
vishay siliconix
文档 号码: 70102
s-50509—rev.e, 21-三月-05
www.vishay.com
3
规格 (v+ = 3 v)
测试 情况
否则 除非 指定
限制
−
40 至 85
C
参数 标识
v+ = 3 v,
10%, v
在
= 0.4 或者 2.0 v
e
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
相似物 转变
相似物信号 范围
d
V
非
, v
NC
,
V
COM
全部 0 V+ V
在-阻抗 r
在
V 27 v v 0 9 v/1 5 v
房间
全部
1.8 2.7
2.9
r
在
相一致
r
在
v+ = 2.7 v, v
COM
= 0.9 v/1.5 v
I
非
, i
NC
= 50 毫安
房间 0.2
r
在
Flatness
r
在
Flatness
I
非
,I
NC
= 50 毫安
房间 0.2 0.5
转变 止 泄漏 电流
I
非(止)
,
I
nc(止)
v+ = 3.3 v, v
非
, v
NC
= 1 v/3 v
房间
全部
−
1
−
10
1
10
转变 止 泄漏 电流
I
com(止)
v+ = 3.3 v,V
非
,V
NC
= 1 v/3 v
V
COM
= 3 v/1 v
房间
全部
−
1
−
10
1
10
nA
频道-在 泄漏 电流
I
com(在)
v+ = 3.3 v, v
非
, v
NC
= v
COM
= 1 v/3 v
房间
全部
−
1
−
10
1
10
数字的控制
输入高 voltage
V
INH
全部 1.6
V
输入 低电压 V
INL
全部 0.4
V
输入 电容
C
在
全部 4 pF
输入 电流 I
INL
或者 i
INH
V
在
= 0 或者 v+ 全部 1 1
一个
动态 特性
转变-在 时间 t
在
房间
全部
45
75
77
转变-止 时间 t
止
V
非
或者 v
NC
= 2.0 v, r
L
= 300
, c
L
= 35 pf
房间
全部
29
59
62
ns
破裂-在之前-制造 时间 t
BBM
房间 1 16
承担 injection
d
Q
INJ
C
L
= 1 nf, v
GEN
= 0 v, r
GEN
= 0
房间 2 pC
止-分开
d
OIRR
R
L
= 50
C
L
= 5 pf f = 1 mhz
房间
−
62
dB
串扰
d
X
表达
R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz
房间
−
68
dB
N
O
, n
C
止 电容
d
C
非(止)
,
C
nc(止)
V
在
= 0 或者 v+, f = 1 mhz
房间 28
pF
频道-在 电容
d
C
在
V
在
= 0 或者 v+,f = 1 mhz
房间 84
pF
电源 供应
电源供应 范围 V+ 1.8 5.5 V
电源 供应 电流 I+
V
在
= 0 或者 v+
0.01 1.0
一个
电源 消耗量 P
C
V
在
= 0 或者 v+
3.3
W
注释:
一个. 房间 = 25
°
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 后缀.
b. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
c. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 sheet.
d. 保证 用 设计, 也不 subjected 至 生产 测试.
e. V
在
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
f. 有保证的 用 5-v 泄漏 测试, 不 生产 测试.
压力在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备.这些 是 压力 比率 仅有的, 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
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