绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +4V
cmos/ttl 输入 电压 −0.3v 至 +5.5v
lvcmos/ttl 输出
电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 接受者 输入
电压 −0.3v 至 +3.6v
LVDS 驱动器 输出
电压 −0.3v 至 +3.6v
LVDS 输出 短的
电路 持续时间 持续的
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒.)
100L TQFP +260˚C
最大 包装 电源 消耗 Capacity
@
25˚C
100 TQFP 包装:
DS90CR481VJD 2.3w
DS90CR482VS 2.3w
包装 减额:
DS90CR481VJD 18.1mw/˚c 在之上 +25˚C
DS90CR482VS 18.1mw/˚c 在之上 +25˚C
静电释放 比率:
DS90CR481
(hbm, 1.5k
Ω
, 100pf)
>
6kV
(eiaj, 0
Ω
, 200pf)
>
300 V
DS90CR482
(hbm, 1.5k
Ω
, 100pf)
>
2kV
(eiaj, 0
Ω
, 200pf)
>
200 V
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个)
−10 +25 +70 ˚C
供应 噪音 电压 100 mV
p-p
输入 时钟 (tx) 65 112 MHz
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
cmos/ttl 直流 规格
V
IH
高 水平的 输入
电压
2.0 V
V
IL
低 水平的 输入
电压
地 0.8 V
V
OH
高 水平的 输出
电压
I
OH
= −0.4 毫安 2.7 2.9 V
I
OH
= −2mA 2.7 2.85 V
V
OL
低 水平的 输出
电压
I
OL
= 2 毫安 0.1 0.3 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 −0.79 −1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0.4v, 2.5v 或者 V
CC
+1.8 +15 µA
V
在
= 地 −15 0 µA
I
OS
输出 短的 电路
电流
V
输出
= 0V −120 毫安
LVDS 驱动器 直流 规格
|V
OD
| 差别的 输出
电压
R
L
= 100
Ω
250 345 450 mV
∆
V
OD
改变 在 V
OD
在
Complimentary 输出
States
35 mV
V
OS
补偿 电压 1.125 1.25 1.375 V
∆
V
OS
改变 在 V
OS
在
Complimentary 输出
States
35 mV
ds90cr481/ds90cr482
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