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资料编号:989664
 
资料名称:IC42S32200/L-6B
 
文件大小: 900K
   
说明
 
介绍:
512K Words x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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IC42S32200
IC42S32200L
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整体的 电路 解决方案 公司
dr036-0d 02/04/2005
写 和 自动 precharge
· interrupted 用 一个 读 (和 或者 没有 自动 precharge): 一个 读 至 bank m 将 中断 一个 写 在 bank n
当 注册, 和 这 数据-输出 ap- pearing cas latency 后来的. 这 precharge 至 bank n 将 begin 之后
t wr 是 符合, 在哪里 t wr begins 当 这 读 至 bank m 是 注册. 这 last 有效的 写 至 bank n 将
是 数据-在 注册 一个 时钟 较早的 至 这 读 至 bank m.
写 和 自动 precharge interrupted 用 一个 读
· interrupted 用 一个 写 (和 或者 没有 自动 precharge): 一个 写 至 bank m 将 中断 一个 写 在 bank
n 当 注册. 这 precharge 至 bank n 将 begin 之后 t wr 是 符合, 在哪里 t wr begins 当 这 写
至 bank m 是 注册. 这 last 有效的 数据 写 至 bank n 将 是 数据 注册 一个 时钟 较早的 至 一个 写
至 bank m.
写 和 自动 precharge interrupted 用 一个 写
D
一个
D
d + 2
D
d + 3
don’t 小心
T2T1 T4T3 T6T5T0
COMMAND
T7
bank n
NOP
D
d + 1
写 - ap
bank n
NOPNOPNOP
便条: 1. dqm 是 低.
bank n,
col 一个
bank m,
col d
写 - ap
bank m
NOP
D
一个 + 1
D
一个 + 2
D
d
页 起作用的 写 和 burst 的 4
写-后面的
wr - bank n
t
rp - bank n
t
wr - bank m
bank m
地址
内部的
States
t
页 起作用的 写 和 burst 的 4 中断 burst, 写-后面的 Precharge
T2T1 T4T3 T6T5T0
COMMAND
写 - ap
bank n
NOP NOPNOPNOP
便条: 1. dqm 是 低.
bank n,
col 一个
bank m,
col d
读 - ap
bank m
NOP
NOP
页 起作用的 读 和 burst 的 4
内部的
States
t
页 起作用的 写 和 burst 的 4 中断 burst, 写-后面的 Precharge
wr - bank n
rp - bank n
t
t
rp - bank
m
T7
bank n
bank m
地址
CLK
DQ
D
一个
D
一个 + 1
D
输出
d
D
输出
d + 1
cas latency = 3 (bank m)
don’t 小心
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