km416c254d, km416v254d cmos dram
这个 是 一个 家族 的 262,144 x 16 位 扩展 数据 输出 模式 cmos drams. 扩展 数据 输出 模式 提供 高 速 随机的 进入
的 记忆 cells 在里面 这 一样 行. 电源 供应 电压(+5.0v 或者 +3.3v), 进入 时间 (-5,-6 或者 -7), 电源 consumption(normal or
低 电源) 和 包装 类型(soj 或者 tsop-ii) 是 optional 特性 的 这个 家族. 所有 的 这个 家族 有CAS-在之前-RASrefresh,RAS-
仅有的 refresh 和 hidden refresh 能力. 此外, 自-refresh 运作 是 有 在 l-版本. 这个 256kx16 edo mode
dram 家族 是 fabricated 使用 samsung
′
s 先进的 cmos 处理 至 realize 高 带宽-宽度, 低 电源 消耗量 和 高 reli-
能力. 它 将 是 使用 作 graphic 记忆 单位 为 microcomputer, 个人的 计算机 和 可携带的 machines.
•部分 identification
- km416c254d/dl (5v, 512 ref.)
- km416v254d/dl (3.3v, 512 ref.)
•扩展 数据 输出 模式 运作
•2CAS字节/wrod 读/写 运作
•CAS-在之前-RASrefresh 能力
•RAS-仅有的 和 hidden refresh 能力
•自-refresh 能力 (l-ver 仅有的)
•ttl(5v)/lvttl(3.3v) 兼容 输入 和 输出
•early 写 或者 输出 使能 控制 写
•电子元件工业联合会 标准 引脚
•有 在 40-管脚 soj 400mil 和 44(40)-管脚
包装
•triple +5v
±
10% 电源 供应 (5v 产品)
•triple +3.3v
±
0.3v 电源 供应 (3.3v 产品)
控制
Clocks
vbb 发生器
refresh 计时器
refresh 控制
refresh 计数器
行 地址 缓存区
col. 地址 缓存区
行 解码器
column 解码器
更小的
数据 输出
缓存区
RAS
UCAS
LCAS
W
Vcc
Vss
DQ0
至
DQ7
记忆 排列
262,144 x16
Cells
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至
改变 产品 和 规格 没有 注意.
256k x 16bit cmos 动态 内存 和 扩展 数据 输出
描述
特性
函数的 块 图解
•
refresh 循环
部分
非.
VCC
Refresh
循环
refresh 时期
正常的 l-ver
C254D 5V
512 8ms 128ms
V254D 3.3v
•
效能 范围
速
tRAC tCAC tRC tHPC
Remark
-5 50ns 15ns 84ns 20ns 5v 仅有的
-6 60ns 15ns 104ns 25ns 5v/3.3v
-7 70ns 20ns 124ns 30ns 5v/3.3v
•
起作用的 电源 消耗
速 3.3v(512 ref.) 5v(512 ref.)
-5 - 605
-6 255 495
-7 235 440
单位 : mw
sense 放大器 &放大; i/o
Upper
数据 在
缓存区
Upper
数据 输出
缓存区
更小的
数据 在
缓存区
DQ
8
至
DQ15
OE
A0~A8
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