km416c254d, km416v254d cmos dram
交流 特性
(持续)
便条) *1 : 5v 仅有的
参数 标识
-5
*1
-6 -7
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
数据 设置-向上 时间
tDS
0 0 0 ns 9,19
数据 支撑 时间
tDH
8 10 15 ns 9,19
refresh 时期 (正常的)
tREF
8 8 8 ms
refresh 时期 (l-ver)
tREF
128 128 128 ms
CAS至W延迟 时间
tCWD
32 32 42 ns 7,15
RAS至W延迟 时间
tRWD
67 77 92 ns 7
column 地址 至W延迟 时间
tAWD
42 47 57 ns 7
CASprecharge 至W延迟 时间
tCPWD
45 52 62 ns 7
CAS设置-向上 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCSR
5 5 5 ns 17
CAS支撑 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCHR
10 10 10 ns 18
RAS至CASprecharge 时间
tRPC
5 5 5 ns
CASprecharge 时间 (C-b-R计数器 测试 循环)
tCPT
20 20 25 ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
28 35 40 ns 3
hyper 页 模式 循环 时间
tHPC
20 25 30 ns 11
hyper 页 读-modify-写 循环 时间
tHPRWC
57 66 81 ns 11
CASprecharge 时间 (hyper 页 循环)
tCP
8 10 10 ns 14
RAS脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tRASP
50 100K 60 100K 70 100K ns
RAS支撑 时间 从CASprecharge
tRHCP
30 35 40 ns
OE进入 时间
tOEA
15 15 20 ns 3
OE至 数据 延迟
tOED
13 13 18 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 时间 从OE
tOEZ
3 13 3 13 3 18 ns 6
OEcommand 支撑 时间
tOEH
15 15 20 ns
输出 数据 支撑 时间
tDOH
5 5 5 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 从RAS
tREZ
3 15 3 15 3 20 ns 6,12
输出 缓存区 转变 止 延迟 从W
tWEZ
3 13 3 13 3 18 ns 6
W至 数据 延迟
tWED
13 13 18 ns
OE至CAS支撑 时间
tOCH
5 5 5 ns
CAS支撑 时间 至OE
tCHO
5 5 5 ns
OEprecharge 时间
tOEP
5 5 5 ns
W脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tWPE
5 5 5 ns
RAS脉冲波 宽度 (C-b-R自 refresh)
tRASS
100 100 100 美国 20,21,22
RASprecharge 时间 (C-b-R自 refresh)
tRPS
90 110 130 ns 20,21,22
CAS支撑 时间 (C-b-R自 refresh)
tCHS
-50 -50 -50 ns 20,21,22
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