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资料编号：101799
 
资料名称：MMBT2907ALT1G
 
文件大小： 118.12K
   
说明：
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


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MMBT2907ALT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级−emitter 损坏 电压 (便条 3)
(i
C
= −10 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
−60 −
Vdc
集电级−根基 损坏 电压
(i
C
= −10
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
−60 −
Vdc
发射级−根基 损坏 电压
(i
E
= −10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
−5.0 −
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= −30 vdc, v
eb(止)
= −0.5 vdc)
I
CEX
− −50
nAdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= −50 vdc, i
E
= 0)
(v
CB
= −50 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 125
°
c)
I
CBO
−
−
−0.010
−10
模数转换器
根基 截止 电流
(v
CE
= −30 vdc, v
eb(止)
= −0.5 vdc)
I
BL
− −50
nAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= −0.1 madc, v
CE
= −10 vdc)
(i
C
= −1.0 madc, v
CE
= −10 vdc)
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −10 vdc)
(i
C
= −150 madc, v
CE
= −10 vdc)
(i
C
= −500 madc, v
CE
= −10 vdc) (便条 3)
h
FE
75
100
100
100
50
−
−
−
300
−
−
集电级−发射级 饱和 电压 (便条 3)
(i
C
= −150 madc, i
B
= −15 madc) (便条 3)
(i
C
= −500 madc, i
B
= −50 madc)
V
ce(sat)
−
−
−0.4
−1.6
Vdc
根基 −发射级 饱和 电压 (便条 3)
(i
C
= −150 madc, i
B
= −15 madc)
(i
C
= −500 madc, i
B
= −50 madc)
V
是(sat)
−
−
−1.3
−2.6
Vdc
SMALL−信号 特性
电流−增益 − 带宽 产品 (注释 3, 4)
(i
C
= −50 madc, v
CE
= −20 vdc, f = 100 mhz)
f
T
200 −
MHz
输出 电容
(v
CB
= −10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
− 8.0
pF
输入 电容
(v
EB
= −2.0 vdc, i
C
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ibo
− 30
切换 特性
turn−on 时间
t
在
− 45
延迟 时间
(v
CC
= −30 vdc, i
C
= −150 madc,
I
B1
= −15 madc)
t
d
− 10
上升 时间
I
B1
=−15madc)
t
r
− 40
ns
turn−off 时间 t
止
− 100
ns
存储 时间
(v
CC
= −6.0 vdc, i
C
= −150 madc,
I
B1
= i
B2
= −15 madc)
(v
CC
= −6.0 vdc, i
C
= −150 madc,
I
B1
= i
B2
= −15 madc)
t
s
− 80
下降 时间
I
B1
= i
B2
=−15madc)I
B1
= i
B2
=−15madc)
t
f
− 30
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2.0%.
4. f
T
是 定义 作 这 频率 在 这个 |h
fe
| extrapolates 至 统一体.
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