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资料编号:101799
 
资料名称:MMBT2907ALT1G
 
文件大小: 118.12K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


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MMBT2907ALT1
http://onsemi.com
4
典型 特性
图示 3. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
0.2
−0.1
T
J
= 125
°
C
25
°
C
−55
°
C
V
CE
= −1.0 v
V
CE
= −10 v
h
FE
, normalized 电流 增益
2.0
−0.2 −0.3 −0.5 −0.7 −1.0 −2.0 −3.0 −5.0 −7.0 −10 −20 −30 −50 −70 −100 −200 −300 −500
图示 4. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
−0.4
−0.6
−0.8
−1.0
−0.2
v , collector−emitter 电压 (伏特)
0
CE
I
C
= −1.0 毫安
−0.005
−10 毫安
−0.01
−100 毫安
−500 毫安
−0.02 −0.03 −0.05 −0.07 −0.1 −0.2 −0.3 −0.5 −0.7 −1.0
−2.0
−3.0
−5.0 −7.0 −10 −20
−30
−50
图示 5. turn−on 时间
I
C
, 集电级 电流
300
−5.0
图示 6. turn−off 时间
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
−5.0
t, 时间 (ns)
t, 时间 (ns)
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
−7.0 −10 −20 −30 −50 −70 −100 −200 −300 −500
t
r
2.0 v
t
d
@ v
是(止)
= 0 v
V
CC
= −30 v
I
C
/i
B
= 10
T
J
= 25
°
C
500
300
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
−7.0 −10 −20 −30 −50 −70 −100 −200 −300 −500
200
t
f
t
s
= t
s
− 1/8 t
f
V
CC
= −30 v
I
C
/i
B
= 10
I
B1
= i
B2
T
J
= 25
°
C
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