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资料编号:1021505
 
资料名称:MC33151DR2
 
文件大小: 284K
   
说明
 
介绍:
High Speed Dual MOSFET Drivers
 
 


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mc34151, mc33151
http://onsemi.com
7
布局 仔细考虑
高 频率 打印 电路 布局 技巧 是
imperative 至 阻止 过度的 输出 ringing 和 越过.
做 不 attempt 至 construct 这 驱动器 电路 在
wire–wrap 或者 plug–in prototype boards.
当 驱动
大 电容的 负载, 这 打印 电路 板 必须 包含
一个 低 电感 地面 平面 至 降低 这 电压 尖刺
induced 用 这 高 地面 波纹 电流. 所有 高 电流
循环 应当 是 保持 作 短的 作 可能 使用 重的 铜
runs 至 提供 一个 低 阻抗 高 频率 path. 为
最佳的 驱动 效能, 它 是 推荐 那 这
最初的 电路 设计 包含 双 电源 供应 绕过
电容 连接 和 短的 leads 作 关闭 至 这 v
CC
管脚
和 地面 作 这 布局 将 准许. 建议的 电容 是
一个 低 电感 0.1
µ
f 陶瓷的 在 并行的 和 一个 4.7
µ
F
tantalum. 额外的 绕过 电容 将 是 必需的
取决于 在之上 驱动 输出 加载 和 电路 布局.
恰当的 打印 电路 板 布局 是 极其
核心的 和 不能 是 在 emphasized.
这 mc34151 非常 enhances 这 驱动 能力 的 一般 切换
regulators 和 cmos/ttl 逻辑 设备.
图示 18. 增强 系统 效能 和
一般 切换 regulators
图示 19. 场效应晶体管 parasitic 振动
图示 20. 直接 变压器 驱动 图示 21. 分开的 场效应晶体管 驱动
序列 门 电阻 r
g
将 是 需要 至 damp 高 频率 parasitic
振动 造成 用 这 场效应晶体管 输入 电容 和 任何 序列
线路 电感 在 这 gate–source 电路. r
g
将 decrease 这
场效应晶体管 切换 速. 肖特基 二极管 d
1
能 减少 这 驱动器’s
电源 消耗 预定的 至 过度的 ringing, 用 阻止 这 输出 管脚
从 正在 驱动 在下 地面.
输出 肖特基 二极管 是 推荐 当 驱动 inductive 负载 在
高 发生率. 这 二极管 减少 这 驱动器’s 电源 消耗 用
阻止 这 输出 管脚 从 正在 驱动 在之上 v
CC
和 在下 地面.
+
V
CC
47
0.1
6
5.7v
TL494
或者
TL594
2
4
3
100k100k
7
5
V
+
+
++
+
+
100k
1N5819
D
1
R
g
V
+
+
100k100k
3
7
5
4 x
1N5819
+
+
+
+
3
100k
1N
5819
分开
Boundary
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