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资料编号:1021505
 
资料名称:MC33151DR2
 
文件大小: 284K
   
说明
 
介绍:
High Speed Dual MOSFET Drivers
 
 


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mc34151, mc33151
http://onsemi.com
8
输出 加载 规章制度
I
O
(毫安) +V
O
(v) –V
O
(v)
0 27.7 –13.3
1.0 27.4 –12.9
10 26.4 –11.9
20 25.5 –11.2
30 24.6 –10.5
50 22.6 –9.4
图示 22. 控制 场效应晶体管 驱动 图示 23. 双极 晶体管 驱动
图示 24. 双 承担 打气 转换器
这 totem–pole 输出 能 furnish 负的 根基 电流 为 增强
晶体管 turn–off, 和 这 增加 的 电容 c
1
.
这 电容’s 相等的 序列 阻抗 限制 这 驱动 输出 电流
至 1.5 一个. 一个 额外的 序列 电阻 将 是 必需的 当 使用 tantalum 或者
其它 低 等效串联电阻 电容.
在 噪音 敏感的 产品, 两个都 安排 和 radiated emi 能
是 减少 significantly 用 controlling 这 场效应晶体管’s turn–on 和
turn–off 时间.
+
100k
V
R
g(在)
R
g(止)
+
I
B
+
0
根基 承担
除去
100k
C
1
V
+
V
CC
= 15 v
4.7 0.1
6
5.7v
6.8 10
7
1N5819
2
+ v
O
2.0 v
CC
47
100k
100k
5
6.8 10
1N5819
4
– v
O
– v
CC
330pF
47
3
10k
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
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