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资料编号:1025390
 
资料名称:MRF150
 
文件大小: 183K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
 
 


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MRF150
4
motorola rf 设备 数据
图示 7. 序列 相等的 阻抗
图示 8. 150 mhz 测试 电路 (类 ab)
偏差
0–12 v
rf 输出
rf 输入
R1
C1
C2 C3
L1
C4 C5
+
DUT
R2
L4
RFC2
C10 C11
+
+ 50 vdc
C9
C7 C8
L3 L2
c1, c2, c8 — arco 463 或者 相等的
c3 — 25 pf, unelco
c4 — 0.1
µ
f, 陶瓷的
c5 — 1.0
µ
f, 15 wv tantalum
c6 — 25 pf, unelco j101
c7 — 25 pf, unelco j101
c9 — arco 262 或者 相等的
c10 — 0.05
µ
f, 陶瓷的
c11 — 15
µ
f, 60 wv electrolytic
l1 — 3/4
, 18 awg 在 hairpin
l2 — 打印 线条, 0.200
x 0.500
l3 — 1
, #16 awg 在 hairpin
l4 — 2 转变 #16 awg, 5/16 id
rfc1 — 5.6
µ
h, choke
rfc2 — vk200–4b
r1 — 150
, 1.0 w carbon
r2 — 10 k
, 1/2 w carbon
r3 — 120
, 1/2 w carbon
R3
C6
150
90
30
7.5
4.0
2.0
Z
OL
*
Z
15
f = 175 mhz
136
f = 175 mhz
90
30
15
7.5
4.0
2.0
Z
o
= 250 毫安
P
输出
= 150 w pep
Z
OL
* = conjugate 的 这 最佳的 加载 阻抗
Z
OL
* =在 这个 这 设备 输出 运作 在 一个
Z
OL
* =给 输出 电源, 电压 和 频率.
便条: 门 shunted 用 25 ohms.
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