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MRF150
motorola rf 设备 数据
rf 电源 场效应晶体管 仔细考虑
场效应晶体管 capacitances
这 物理的 结构 的 一个 场效应晶体管 结果 在 电容
在 这 terminals. 这 metal oxide 门 结构
确定 这 电容 从 gate–to–drain (c
gd
), 和
gate–to–source (c
gs
). 这 pn 接合面 formed 在 这
fabrication 的 这 rf 场效应晶体管 结果 在 一个 接合面 capaci-
tance 从 drain–to–source (c
ds
).
这些 capacitances 是 典型 作 输入 (c
iss
),
输出 (c
oss
) 和 反转 转移 (c
rss
) capacitances 在 数据
薄板. 这 relationships 在 这 inter–terminal capaci-
tances 和 那些 给 在 数据 薄板 是 显示 在下. 这
C
iss
能 是 指定 在 二 方法:
1. 流 短接 至 源 和 积极的 电压 在 这 门.
2. 积极的 电压 的 这 流 在 遵守 至 源 和 零
伏特 在 这 门. 在 这 latter 情况 这 号码 是 更小的.
不管怎样, neither 方法 代表 这 真实的 operat-
ing 情况 在 rf 产品.
C
gd
门
源
C
gs
流
C
ds
C
iss
= c
gd
+ c
gs
C
oss
= c
gd
+ c
ds
C
rss
= c
gd
线性 和 增益 特性
在 增加 至 这 典型 imd 和 电源 增益 数据
提交, 图示 5 将 给 这 设计者 额外的 informa-
tion 在 这 能力 的 这个 设备. 这 图表 代表 这
小 信号 统一体 电流 增益 频率 在 一个 给 流
电流 水平的. 这个 是 相等的 至 f
T
为 双极 晶体管.
自从 这个 测试 是 执行 在 一个 快 sweep 速, 加热 的
这 设备 做 不 出现. 因此, 在 正常的 使用, 这 高等级的
温度 将 降级 这些 特性 至 一些
程度.
流 特性
一个 图示 的 merit 为 一个 场效应晶体管 是 它的 静态的 阻抗 在 这
full–on 情况. 这个 on–resistance, v
ds(在)
, occurs 在 这
直线的 区域 的 这 输出 典型的 和 是 指定 下面
明确的 测试 情况 为 gate–source 电压 和 流
电流. 为 mosfets, v
ds(在)
有 一个 积极的 温度
系数 和 constitutes 一个 重要的 设计 仔细考虑
在 高 温度, 因为 它 contributes 至 这 电源
消耗 在里面 这 设备.
门 特性
这 门 的 这 rf 场效应晶体管 是 一个 polysilicon 材料, 和
是 用电气 分开的 从 这 源 用 一个 layer 的 oxide. 这
输入 阻抗 是 非常 高 — 在 这 顺序 的 10
9
ohms —
结果 在 一个 泄漏 电流 的 一个 few nanoamperes.
门 控制 是 达到 用 应用 一个 积极的 电压
slightly 在 excess 的 这 gate–to–source 门槛 电压,
V
gs(th)
.
门 电压 比率
— 从不 超过 这 门 电压
比率. exceeding 这 评估 v
GS
能 结果 在 永久的
损坏 至 这 oxide layer 在 这 门 区域.
门 末端
— 这 门 的 这些 设备 是
essentially 电容. 电路 那 leave 这 门 open–cir-
cuited 或者 floating 应当 是 避免. 这些 情况 能
结果 在 turn–on 的 这 设备 预定的 至 电压 build–up 在 这
输入 电容 预定的 至 泄漏 电流 或者 pickup.
门 保护
— 这些 设备 做 不 有 一个 内部的
大而单一的 齐纳 二极管 从 gate–to–source. 如果 门 保护
是 必需的, 一个 外部 齐纳 二极管 是 推荐.
相等的 晶体管 参数 terminology
集电级 流. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
发射级 源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
根基 门. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
(br)ces
V
(br)dss
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
CBO
V
DGO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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C
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D
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V
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V
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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V
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
R
ce(sat)
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V
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