2SK2018-01_集成电路资料查询网

n-频道 mos-场效应晶体管
2sk2018-01l,s
60V
0,1Ω
10A 20W
fap-iii 序列
> 特性
典型 输出 特性 流-源-在-状态 阻抗 vs. t
ch
典型 转移 特性
↑
1
↑
2
↑
3
I
D
[A]
R
ds(在)
[
Ω
]
I
D
[A]
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型 流-源-在-状态-阻抗 vs. i
D
典型 向前 跨导 vs. i
D
门 门槛 电压 vs. t
ch
↑
4
↑
5
↑
6
R
ds(在)
[
Ω
]
g
fs
[S]
V
gs(th)
[V]
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型 电容 vs. v
DS
典型 输入 承担 向前 特性 的 反转 二极管
↑
7
↑
8
↑ ↑
9
c [nf]
V
DS
[V]
V
GS
[V]
I
F
[A]
V
DS
[V]
→
Q
g
[nC]
→
V
SD
[V]
→
容许的 电源 消耗 vs. t
C
safe 运作 范围
↑
Z
th(ch-c)
[k/w]
瞬时 热的 阻抗
↑
10
↑
12 11
P
D
[W]
I
D
[A]
T
c
[°C]
→
V
DS
[V]
→
t [s]
→
这个 规格 是 主题 至 改变 没有 notice!

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n-频道 mos-场效应晶体管 2sk2018-01l,s 60V 0,1Ω 10A 20W fap-iii 序列 > 特性典型输出特性流-源-在-状态阻抗 vs. t ch 典型转移特性 ↑ 1 ↑ 2 ↑ 3 I D [A] R ds(在) [ Ω ] I D [A] V DS [V] → T ch [°C] → V GS [V] → 典型流-源-在-状态-阻抗 vs. i D 典型向前跨导 vs. i D 门门槛电压 vs. t ch ↑ 4 ↑ 5 ↑ 6 R ds(在) [ Ω ] g fs [S] V gs(th) [V] I D [A] → I D [A] → T ch [°C] → 典型电容 vs. v DS 典型输入承担向前特性的反转二极管 ↑ 7 ↑ 8 ↑ ↑ 9 c [nf] V DS [V] V GS [V] I F [A] V DS [V] → Q g [nC] → V SD [V] → 容许的电源消耗 vs. t C safe 运作范围 ↑ Z th(ch-c) [k/w] 瞬时热的阻抗 ↑ 10 ↑ 12 11 P D [W] I D [A] T c [°C] → V DS [V] → t [s] → 这个规格是主题至改变没有 notice!

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