2sk2018-01l,s
n-频道 mos-场效应晶体管
fap-iii 序列
60V
0,1Ω
10A20W
>特性> 外形 绘画
-高 电流
-低 在-阻抗
-非 secondary 损坏
-低 驱动 电源
-高 向前 跨导
-avalanche proof
>产品
-发动机 控制
-一般 目的 电源 放大器
-直流-直流 转换器
>最大 比率 和 特性> 相等的 电路
-绝对 最大 比率 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item标识比率单位
流-源-电压V
DS
60V
流-门-电压(r
GS
=20K
Ω
)
V
DGR
60V
continous 流 电流I
D
10一个
搏动 流 电流I
d(puls)
40一个
门-源-电压V
GS
±20V
最大值 电源 消耗P
D
20W
运行 和 存储 温度 范围T
ch
150°C
T
stg
-55 ~ +150°C
-
电的 特性 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item标识测试 情况最小值典型值最大值单位
流-源 损坏-电压V
(br)dss
I
D
=1mAV
GS
=0V
60V
门 threshhold 电压V
gs(th)
I
D
=1m一个V
DS=
V
GS
1,01,52,5V
零 门 电压 流 电流I
DSS
V
DS
=60VT
ch
=25°C
10500µA
V
GS
=0VT
ch
=125°C
0,21,0毫安
门 源 泄漏 电流I
GSS
V
GS
=±20VV
DS
=0V
10100nA
流 源 在-状态 阻抗R
ds(在)
I
D
=5AV
GS
=4V
0,110,16
Ω
I
D
=5AV
GS
=10V
0,070,1
Ω
向前 跨导g
fs
I
D
=5AV
DS
=25V
48S
输入 电容C
iss
V
DS
=25V
500750pF
输出 电容C
oss
V
GS
=0V
200300pF
反转 转移 电容C
rss
f=1MHz80120pF
转变-在-时间 t
在
(t
在
=t
d(在)
+t
r
)
t
d(在)
V
CC
=30V
1015ns
t
r
I
D
=5A
2030ns
转变-止-时间 t
止
(t
在
=t
d(止)
+t
f
)
t
d(止)
V
GS
=10V
100150ns
t
f
R
GS
=25
Ω
5075ns
avalanche 能力I
AV
L=100µH
T
ch
=25°C
10一个
continous 反转 流 电流I
DR
10一个
搏动 反转 流 电流I
DRM
40一个
二极管 向前 在-电压V
SD
I
F
=2xI
DR
V
GS
=0v t
ch
=25°C
1,2V
反转 恢复 时间t
rr
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
100ns
反转 恢复 承担Q
rr
-di
F
/dt=100a/µsT
ch
=25°C
0,15µC
-热的 特性
Item标识测试 情况最小值典型值最大值单位
热的 阻抗R
th(ch-一个)
频道 至 空气°c/w
R
th(ch-c)
频道 至 情况6,25°c/w
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