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资料编号:1031446
 
资料名称:MMBT6429LT1
 
文件大小: 209K
   
说明
 
介绍:
Amplifier Transistors(NPN Silicon)
 
 


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MMBT6428LT1 MMBT6429LT1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出) (持续)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 0.01 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT6428
MMBT6429
(i
C
= 0.1 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT6428
MMBT6429
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT6428
MMBT6429
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc) MMBT6428
MMBT6429
h
FE
250
500
250
500
250
500
250
500
650
1250
集电级 发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 0.5 madc)
(i
C
= 100 madc, i
B
= 5.0 madc)
V
ce(sat)
0.2
0.6
Vdc
根基 发射级 在 电压
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 madc)
V
是(在)
0.56 0.66
Vdc
SMALL–信号 特性
电流 增益 — 带宽 产品
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 vdc, f = 100 mhz)
f
T
100 700
MHz
输出 电容
(v
CB
= 10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
3.0
pF
输入 电容
(v
EB
= 0.5 vdc, i
C
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ibo
8.0
pF
R
S
i
n
e
n
完美的
晶体管
图示 1. 晶体管 噪音 模型
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