首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1031446
 
资料名称:MMBT6429LT1
 
文件大小: 209K
   
说明
 
介绍:
Amplifier Transistors(NPN Silicon)
 
 


: 点此下载
  浏览型号MMBT6429LT1的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号MMBT6429LT1的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号MMBT6429LT1的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号MMBT6429LT1的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号MMBT6429LT1的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMBT6428LT1 MMBT6429LT1
4
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
图示 8. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h , 直流 电流 增益 (normalized)
0.05 2.0 3.0 100.02 0.03
0.2
1.00.1 5.0
FE
V
CE
= 5.0 v
T
一个
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
0.7
0.5
0.50.2 0.3
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0 5.0
10 20 50 100
图示 9. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
图示 10. 温度 coefficients
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
0.01
0
0.8
1.2
1.6
2.4
T
J
= 25
°
C
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
@ v
CE
= 5.0 v
T
J
= 25
°
c 至 125
°
C
55
°
c 至 25
°
C
R
VBE
, base–emitter
θ
温度 系数 (mv/ c)
°
0.4
2.0
0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0 5.0
10 20 50 100
f
T
, current–gain — 带宽 产品(mhz)
c, 电容 (pf)
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0 5.0
10 20 50 100
T
J
= 25
°
C
C
cb
C
ob
C
eb
C
ib
1.0 2.0 5.03.0 7.0
10 20 30 50 70 100
500
300
200
70
50
100
V
CE
= 5.0 v
T
J
= 25
°
C
图示 11. 电容
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 12. current–gain — 带宽 产品
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com