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资料编号:1032108
 
资料名称:MMBF4392LT1
 
文件大小: 139K
   
说明
 
介绍:
JFET Switching Transistors
 
 


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MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
3
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
图示 5. 切换 时间 测试 电路
图示 6. 典型 向前 转移 admittance 图示 7. 典型 电容
I
D
, 流 电流 (毫安)
2.0
5.0
3.0
7.0
0.5 1.0 3.0 7.05.0 5030
10
20
0.7 2.0 10 20
, 向前 转移 admittance (mmhos)
fs
V
10
2.0
15
3.0
5.0
7.0
0.5 1.0 3.0 305.00.30.1 100.050.03
V
R
, 反转 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
T
频道
= 25
°
C
V
DS
= 15 v
T
频道
= 25
°
C
(c
ds
是 negligible
C
gs
–V
DD
V
GG
R
GG
R
T
R
GEN
50
V
GEN
R
K
R
D
输出
输入
50
50
设置 v
ds(止)
= –10 v
输入 脉冲波
t
r
0.25 ns
t
f
0.5 ns
脉冲波 宽度 = 2.0
µ
s
职责 循环
2.0%
R
GG
> r
K
R
D’
= r
D
(r
T
+ 50)
R
D
+ r
T
+ 50
图示 8. 效应 的 gate–source 电压
在 drain–source 阻抗
80
120
160
200
50
1.0 3.0
170
5.0
20–10–40
2.0
80 140–70
V
GS
, gate–source 电压 (伏特)
r
4.00
40
100 毫安
125 毫安
= 10
毫安
T
频道
= 25
°
C
图示 9. 效应 的 温度 在 drain–source
on–state 阻抗
1.8
1.0
2.0
1.2
1.4
1.6
0.8
0.6
0.4
I
D
= 1.0 毫安
V
GS
= 0
, drain–source on–state
ds(在)
阻抗 (normalized)
T
频道
, 频道 温度 (
°
c)
1.5
1.0
C
gd
110
6.0 7.0 8.0
0
r , drain–source on–state
ds(在)
阻抗 (ohms)
MMBF4393
MMBF4392
MMBF4391
便条 1
这 切换 特性 显示 在之上 是 量过的 使用 一个 测试
电路 类似的 至 图示 5. 在 这 beginning 的 这 切换 间隔, 这
门 电压 是 在 门 供应 电压 (–v
GG
). 这 drain–source 电压
(v
DS
) 是 slightly 更小的 比 流 供应 电压 (v
DD
) 预定的 至 这 电压
分隔物. 因此 反转 转移 电容 (c
rss
) 的 gate–drain capaci-
tance (c
gd
) 是 charged 至 v
GG
+ v
DS
.
在 这 turn–on 间隔, gate–source 电容 (c
gs
) discharges
通过 这 序列 结合体 的 r
Gen
和 r
K
. c
gd
必须 释放 至
V
ds(在)
通过 r
G
和 r
K
在 序列 和 这 并行的 结合体 的 effec-
tive 加载 阻抗 (r’
D
) 和 drain–source 阻抗 (r
DS
). 在 这
turn–off, 这个 承担 流动 是 使反转.
predicting turn–on 时间 是 somewhat difficult 作 这 频道 阻抗
r
DS
是 一个 函数 的 这 gate–source 电压. 当 c
gs
discharges, v
GS
approaches 零 和 r
DS
减少. 自从 c
gd
discharges 通过 r
DS
,
turn–on 时间 是 non–linear. 在 turn–off, 这 situation 是 使反转 和
r
DS
增加 作 c
gd
charges.
这 在之上 切换 曲线 显示 二 阻抗 情况; 1) r
K
equal 至 r
D’
这个 simulates 这 切换 行为 的 倾泻 stages
在哪里 这 驱动 源 阻抗 是 正常情况下 这 加载 阻抗 的 这
previous 平台, 和 2) r
K
= 0 (低 阻抗) 这 驱动 源 imped-
ance 是 那 的 这 发生器.
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