MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
图示 10. 效应 的 i
DSS
在 drain–source
阻抗 和 gate–source 电压
I
DSS
, zero–gate 电压 流 电流 (毫安)
, drain–source on–state
ds(在)
r
20
10
30
40
50
30 40 50 60
70
20
阻抗 (ohms)
0
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
, gate–source 电压
GS
V
(伏特)
T
频道
= 25
°
C
V
gs(止)
r
ds(在)
@ v
GS
= 0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
70
60
80
90
100
80 90 100 110 120 130 140 150
便条 2
这 zero–gate–voltage 流 电流 (i
DSS
) 是 这 principle determi-
nant 的 其它 j–fet 特性. 图示 10 显示 这 relationship
的 gate–source 止 电压 (v
gs(止)
) 和 drain–source 在 resis-
tance (r
ds(在)
) 至 i
DSS
. 大多数 的 这 设备 将 是 在里面
±
10% 的 这
值 显示 在 图示 10. 这个 数据 将 是 有用的 在 predicting 这
典型的 变化 为 一个 给 部分 号码.
为 例子:
Unknown
r
ds(在)
和 v
GS
范围 为 一个 mmbf4392
这 电的 特性 表格 indicates 那 一个 mmbf4392
有 一个 i
DSS
范围 的 25 至 75 毫安. 图示 10 显示 r
ds(在)
= 52
ohms 为 i
DSS
= 25 毫安 和 30 ohms 为 i
DSS
= 75 毫安. 这 corre-
sponding v
GS
值 是 2.2 伏特 和 4.8 伏特.
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