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资料编号:1032397
 
资料名称:MRF166C
 
文件大小: 111K
   
说明
 
介绍:
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
 
 


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MRF166C
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0 v, i
D
= 5.0 毫安)
V
(br)dss
65 V
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v)
I
DSS
1.0 毫安
gate–source 泄漏 电流
(v
GS
= 40 v, v
DS
= 0 v)
I
GSS
1.0
µ
一个
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 v, i
D
= 25 毫安)
V
gs(th)
1.0 3.0 6.0 V
向前 跨导
(v
DS
= 10 v, i
D
= 1.5 一个)
g
fs
600 800 mhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C
iss
30 pF
输出 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C
oss
35 pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C
rss
4.5 pF
函数的 特性
噪音 图示
(v
DD
= 28 v, f = 30 mhz, i
DQ
= 50 毫安)
NF 2.5 dB
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 v, p
输出
= 20 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
G
ps
14 17 dB
流 效率
(v
DD
= 28 v, p
输出
= 20 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
η
50 55 %
电的 强壮
(v
DD
= 28 v, p
输出
= 20 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 100 毫安,
加载 vswr 30:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
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