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资料编号:1032397
 
资料名称:MRF166C
 
文件大小: 111K
   
说明
 
介绍:
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
 
 


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MRF166C
motorola rf 设备 数据
图示 1. mrf166c 400 mhz 测试 电路
c1, c7 — 270 pf 碎片 电容
c2, c6 — johanson trimmer 电容, 2 20 pf
c3 — 21 pf 迷你 unelco
c4, c8, c9 — 0.01
µ
F
c5 — 18 pf 迷你 unelco
c10, c11 — 680 pf 喂养 通过
c12, c13 — 50
µ
f, 50 v
d1 — 1n5925a motorola 齐纳
板 材料 — teflon fiberglass
2 oz. 铜 clad 两个都 sides,
ε
r
= 2.55
0.060
dielectric 厚度
l1 — #18 awg, 2 转变, 0.25
ID 0.15
l2 — #18 awg hairpin 0.7
长, bend 在 hairpin
rfc1 — ferroxcube vk200–19/4b
rfc2 — 18 转变 #18 awg enameled, 0.3
ID
r1 — 220
1/2 watt
r2 — 1.8 k
1/4 watt
r3 — 10 k
, 10 转变 bourns
r4 — 10 k 1/4 watt
z1 — microstrip 线条 0.150
宽, 0.420
z2 — microstrip 线条 0.150
宽, 0.350
z3 — microstrip 线条 0.150
宽, 0.350
z4 — microstrip 线条 0.150
宽, 0.450
z5 — microstrip 线条 0.150
宽, 1.1
z6 — microstrip 线条 0.150
宽, 0.650
z7 — microstrip 线条 0.150
宽, 0.200
R3
C4 C13
D1
R2
RFC2
C8
C10
RFC1
C11
C12
+
+
Vdc
+
R4
C9
R1
rf 输入
C1
Z1 Z2 L1 Z3 L2
Z4
C3
C2
d.u.t.
Z5 Z6 Z7
C7
C6C5
rf 输出
V
DD
= 28 v
100
1
2
5
10
20
50
2520151050
C
oss
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
V
DS
, drain–source 电压 (伏特)
图示 2. 电容 相比 drain–source 电压
c, 电容 (pf)
100100
V
DS
, drain–source 电压 (伏特)
图示 3. 直流 safe 运行 范围
10
1
0.1
I
D
, 流 电流 (放大器)
典型 特性
T
C
= 25
°
C
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