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资料编号:1032612
 
资料名称:MRF137
 
文件大小: 213K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MRF137
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压 (v
GS
= 0, i
D
= 10 毫安) V
(br)dss
65 Vdc
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0) I
DSS
4.0 mAdc
gate–source 泄漏 电流 (v
GS
= 20 v, v
DS
= 0) I
GSS
1.0
µ
模数转换器
在 特性
门 门槛 电压 (v
DS
= 10 v, i
D
= 25 毫安) V
gs(th)
1.0 3.0 6.0 Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 10 v, i
D
= 500 毫安) g
fs
500 750 mmhos
动态 特性
输入 电容 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
iss
48 pF
输出 电容 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
oss
54 pF
反转 转移 电容 (v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
rss
11 pF
函数的 特性
噪音 图示
(v
DS
= 28 vdc, i
D
= 1.0 一个, f = 150 mhz)
NF 1.5 dB
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz (图示 1)
I
DQ
= 25 毫安) f = 400 mhz (图示 14)
G
ps
13
16
7.7
dB
流 效率 (图示 1)
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz, i
DQ
= 25 毫安)
η
50 60 %
电的 强壮 (图示 1)
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz, i
DQ
= 25 毫安,
vswr 30:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
图示 1. 150 mhz 测试 电路
c1 — arco 403, 3.0 35 pf, 或者 相等的
c2 — arco 406, 15 115 pf, 或者 相等的
c3 — 56 pf mini–unelco, 或者 相等的
c4 — arco 404, 8.0 60 pf, 或者 相等的
c5 — 680 pf, 100 毫英寸 碎片
c6 — 0.01
µ
f, 100 v, disc 陶瓷的
c7 — 100
µ
f, 40 v
c8 — 0.1
µ
f, 50 v, disc 陶瓷的
c9, c10 — 680 pf feedthru
d1 — 1n5925a motorola 齐纳
l1 — 2 转变, 0.29
id, #18 awg enamel, closewound
l2 — 1–1/4 转变, 0.2
id, #18 awg enamel, closewound
l3 — 2 转变, 0.2
id, #18 awg enamel, closewound
rfc1 — 20 转变, 0.30
id, #20 awg enamel, closewound
rfc2 — ferroxcube vk–200 — 19/4b
r1 — 10 k
, 1/2 w 薄的 影片
r2 — 10 k
, 1/4 w
r3 — 10 转变, 10 k
r4 — 1.8 k
, 1/2 w
板 — g10, 62 毫英寸
偏差
调整
R2
C6
D1
R4
C7
+
C8
RFC1
C9
RFC2
C10
+ V
DD
= 28 v
RF
输入
RF
输出
C2
C1
L1
R1
DUT
L2 L3
C5
C4
C3
R3
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