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MRF137
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
RF 电源 地方-效应 晶体管
n–channel enhancement–mode
. . . 设计 为 wideband large–signal 输出 和 驱动器 stages 向上 至
400 mhz 范围.
•
有保证的 28 volt, 150 mhz 效能
输出 电源 = 30 watts
最小 增益 = 13 db
效率 — 60% (典型)
•
small–signal 和 large–signal 描绘
•
典型 效能 在 400 mhz, 28 vdc, 30 w
输出 = 7.7 db 增益
•
100% 测试 为 加载 mismatch 在 所有 阶段 angles
和 30:1 vswr
•
低 噪音 图示 — 1.5 db (典型值) 在 1.0 一个, 150 mhz
•
极好的 热的 稳固, ideally suited 为 类 一个
运作
•
facilitates 手工的 增益 控制, alc 和 调制
技巧
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压
(r
GS
= 1.0 m
Ω
)
V
DGR
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
40 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
5.0 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
100
0.571
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.75
°
c/w
处理和 包装
— mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf137/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF137
30 w, 至 400 mhz
n–channel mos
broadband rf 电源
场效应晶体管
情况 211–07, 样式 2
motorola, 公司 1994
D
G
S
rev 6
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